型号:

ES1BF

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SMAF
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
ES1BF 产品实物图片
ES1BF 一小时发货
描述:快恢复二极管 ES1BF
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3000+
0.056592
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)950mV@1.0A
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流1A
反向电流(Ir)5uA@100V
反向恢复时间(Trr)35ns
工作结温范围-55℃~+150℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)30A

ES1BF 快恢复二极管 — 产品概述

一、产品简介

ES1BF 是 CJ(江苏长电/长晶)生产的一款快恢复整流二极管,针对开关电源与高频整流环境优化。器件具有较低正向压降与快速反向恢复特性,可在中等电压等级和中等电流应用中替代普通慢恢复整流器,以降低开关损耗与开关瞬态产生的电磁干扰。

二、主要规格

  • 型号:ES1BF
  • 品牌:CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装:SMAF(小型面装封装,适合自动贴片)
  • 正向压降(Vf):0.95 V @ IF = 1.0 A
  • 直流反向耐压(Vr):100 V
  • 连续整流电流(IF):1 A
  • 反向电流(Ir):5 μA @ VR = 100 V
  • 反向恢复时间(Trr):35 ns
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):30 A
  • 工作结温范围:-55 ℃ ~ +150 ℃

三、性能与优势

  • 低正向压降(0.95 V @ 1 A):减少导通损耗,有助于提高效率并降低器件发热。
  • 快恢复特性(Trr = 35 ns):在开关频率较高的电源或整流场合,显著降低反向恢复引起的功耗与电磁干扰,适合中频开关应用。
  • 低反向泄漏(5 μA @100 V):在高压逆向条件下保持较低损耗与温升,适于高压回路使用。
  • 良好浪涌能力(Ifsm = 30 A):能承受短时启动或故障情况下的冲击电流,但不替代适当的保护电路设计。
  • 宽温度范围(-55 ℃ ~ +150 ℃):适应工业级环境与较高结温工作场景。

四、典型应用

  • 开关电源(SMPS)整流与同步替代二极管
  • 反激/正激/半桥等拓扑的输出整流或二次侧整流
  • 电机驱动、步进驱动中的续流/自由轮二极管
  • 电池充电器、适配器、LED 驱动器的整流与保护电路
  • 各类需要快速恢复、降低开关损耗的高频整流场景

五、使用建议与注意事项

  • 连续工作电流限制:ES1BF 的连续整流电流为 1 A,若应用中有长期高电流需求,应选用额定电流更高的器件或并联时注意热均衡问题(并联需谨慎)。
  • 热管理:尽管器件允许较高结温,但为保证长期可靠性,应在 PCB 设计中提供足够的铜箔散热区域、热沉或热通孔;在高环境温度或高平均功耗条件下进行适当的电流降额。
  • 反向恢复影响:35 ns 的 Trr 表明此器件为快恢复型,但在“硬开关”或高压快速斜率环境下仍会产生瞬态电流尖峰和 EMI,必要时配合 RC 缓冲或斜率控制、合理布局与回路最小化以抑制干扰。
  • 浪涌保护:Ifsm = 30 A 为非重复峰值浪涌能力,仅用于短时冲击(如开机冲击),不作为持续过载能力。电路需设计合适的保险或限流保护。
  • 焊接与可靠性:遵循制造商给出的回流焊温度曲线与工艺参数,避免超温或长时间高温影响可靠性。

六、封装与可靠性

SMAF 小型面装封装便于自动化贴装和高密度 PCB 布局。封装体积较小,适合紧凑型电源设计,但散热能力受限;在高功率或高占空比工况下建议增加铜面积或热通孔来提升散热。CJ(长电/长晶)作为国产封装与半导体制造商,产品可满足一般工业级应用对温度与寿命的要求。

七、选型提示与替代参考

  • 若需更高的连续整流电流或更低的正向压降,可考虑额定电流更高或为肖特基(Schottky)结构的整流器件,但肖特基通常在高温下泄漏较大。
  • 若应用对反向恢复时间要求更苛刻(例如更高开关频率或更硬的开关边沿),可选用 Trr 更低的快恢复或超快恢复型号。
  • 选型时综合考虑最大工作电压、平均和脉冲电流、散热条件以及对反向恢复与泄漏电流的具体要求。

总结:ES1BF 为一款适合 100 V 级中等功率快恢复整流应用的器件,具备低正向压降、短反向恢复时间与良好浪涌承受能力,适合开关电源输出整流、续流保护等场合。正确的布局与热设计能充分发挥其性能并提升系统可靠性。