型号:

S8CJHM3/I

品牌:VISHAY(威世)
封装:-
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
S8CJHM3/I 产品实物图片
S8CJHM3/I 一小时发货
描述:整流二极管
库存数量
库存:
3473
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.18
3500+
3.05
产品参数
属性参数值
二极管类型标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)600V
电流 - 平均整流 (Io)8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)985mV @ 8A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)4µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10µA @ 600V
不同 Vr、F 时电容79pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装型
封装/外壳DO-214AB,SMC
供应商器件封装DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

S8CJHM3/I 产品概述

一、主要特性

S8CJHM3/I 为 VISHAY(威世)出品的标准整流二极管,核心参数如下:

  • 反向耐压(Vr,最大):600 V
  • 平均整流电流(Io):8 A
  • 正向压降(Vf):0.985 V @ 8 A
  • 反向恢复时间(trr):4 µs(标准恢复)
  • 标准恢复特性:>500 ns(在 >200 mA 条件)
  • 反向泄漏电流:10 µA @ 600 V
  • 结电容(Cj):79 pF @ 4 V、1 MHz
  • 封装与安装:表面贴装,DO-214AB(SMC)
  • 工作结温度:-55 °C 至 150 °C

二、性能说明

S8CJHM3/I 为典型的标准恢复整流器件,正向压降在大电流条件下约为0.985 V,适合承载中高电流的整流任务。反向恢复时间为4 µs,属于传统恢复速度,适用于频率较低或开关损耗容忍度较高的场合;在高频开关节点中可能因恢复电流引起较大开关损耗与电磁干扰,应慎重选择。低至10 µA 的反向泄漏在高压状态下有利于降低静态损耗。

三、封装与热可靠性

器件采用 DO-214AB(SMC)表面贴装封装,便于自动贴片与回流焊处理。工作结温范围宽,最高可达150 °C,但在持续8 A 整流负载下需做好散热设计,充分利用 PCB 铜箔和散热焊盘以保证长期可靠性。

四、典型应用

  • 交流桥式或单相整流输出
  • 电源供应器(线性或开关电源的整流端)
  • 反向极性保护与续流(freewheeling)场合(低频/中低频)
  • 高压直流链路的整流与保护电路

五、设计与使用建议

  • 散热处理:在 PCB 上配置足够的铜箔面积与散热焊盘,必要时并联多条热过孔或采用散热片,满足平均整流电流 8 A 的热平衡。
  • 高频场合:若工作在高开关频率或要求快速恢复,应考虑快恢复或肖特基二极管以减少反向恢复相关损耗与 EMI。
  • 布局注意:尽量缩短大电流回路回流路径,减少寄生电感;对高压端保持合理的爬电与间隙。
  • 焊接工艺:遵循厂家回流曲线与封装焊盘建议,确保焊点可靠性。

六、总结

S8CJHM3/I 是一款面向中高电流、600 V 等级的标准恢复整流二极管,封装为 DO-214AB(SMC),适合常规整流与保护用途。在要求低反向泄漏与较高耐压的场景中性能稳定,但在高频开关节点应权衡其较长的反向恢复时间并采用更合适的替代方案或相应的电路抑制措施。