SMF51A-E3-08 产品概述

一、产品简介

SMF51A-E3-08 为 VISHAY（威世）推出的一款单向瞬态抑制二极管（TVS），封装为 SMF（DO-219AB）两引脚结构。器件专为抑制静电放电（ESD）和脉冲过电压而设计，可在工业与通信等环境中对电源线与接口提供快速、可靠的瞬态保护。

二、主要参数

• 反向截止电压 Vrwm：51 V
• 击穿电压 Vbr：62.7 V
• 钳位电压 Vcl（在脉冲条件下）：82.4 V
• 峰值脉冲电流 Ipp：2.4 A（10/1000 μs）
• 峰值脉冲功率 Ppp：200 W（10/1000 μs）
• 反向漏电流 Ir：100 nA（在 Vrwm 条件下）
• 结电容 Cj：151 pF
• 通道数：单路（Uni-Dir）
• 防护等级/标准：IEC 61000-4-2（ESD 抗扰度）
• 封装：SMF（DO-219AB），2 引脚

三、工作原理与典型应用

作为单向 TVS，SMF51A 在正常工作电压下呈高阻状态，当出现超过击穿电压或瞬态过电压时迅速进入导通，将能量钳位并引入地线，从而保护后端器件。适合用于：

• 48 V 类电源轨与工业电源防护（例如 PoE、通讯基站供电）
• 直流供电输入保护、接口防护（电源插座、继电器驱动等）
• 工业控制设备、测试与测量仪器中对突发脉冲的防护

注意：由于结电容约 151 pF，器件更适合电源线或低速信号保护，对高速数据信号线（如高速差分对）会产生较明显的信号影响，应慎用。

四、设计与布局注意事项

• 极性要求：单向 TVS 的阴极应接受保护的正电位，阳极接地，确保正确方向以发挥保护作用。
• 布局：将 TVS 尽量靠近被保护的连接器或受扰节点放置，导线/走线尽量短且粗，以减小串联电感。
• 接地：提供低阻抗、短回流路径的接地面或专用地线，必要时添加过孔以增强散热与回流能力。
• 热与功率：Ppp 为脉冲能量能力，不能用于连续限流或长期过压环境；对重复冲击或高能量脉冲应做系统级能量分担设计。
• 信号完整性：对有带宽/阻抗要求的信号线需关注 Cj 引入的负载，必要时选用低容抗的保护器件或把 TVS 放在非关键位置。

五、选型建议

• 若系统工作电压接近或低于 51 V，SMF51A 可作为直接保护选择；高于该值应选择更高 Vrwm 的型号。
• 若需要更低的夹位电压，应对比不同器件的 Vcl 与 Ipp 曲线，确保在峰值冲击下后端设备电压不会超过容许值。
• 对低漏电流需求的电池供电或休眠系统，100 nA 的漏电特性能满足大多数场景。
• 对高速数据线保护应优先考虑低电容 TVS，否则会影响信号质量。

六、可靠性与合规

器件满足 IEC 61000-4-2 等电磁兼容（ESD）防护要求，具有快速响应和重复脉冲抑制能力。为获得完整可靠性与焊接、回流曲线、包装信息，请参考 VISHAY 原厂数据手册与器件具体规格书。

七、典型接法示意

在直流电源保护中，SMF51A 的阴极连接至正电源轨，阳极接地（或系统地）；当正向瞬态产生时，器件导通将峰值电流引向地，从而限制电压到 Vcl 附近，保护后端电路。请确保布局短路回流路径并配合适当的前端滤波/限流元件以提高整机抗脉冲能力。

如需更详细的电气特性曲线、封装尺寸或回流焊工艺参数，请下载 VISHAY 官方数据手册或联系供应商获取样片与评估资料。