型号:

WS72552M-8/TR

品牌:WILLSEMI(韦尔)
封装:MSOP-8
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
-
WS72552M-8/TR 产品实物图片
WS72552M-8/TR 一小时发货
描述:运算放大器 零温漂运算放大器
库存数量
库存:
32467
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.673
4000+
0.625
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)9V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)1.7MHz
输入失调电压(Vos)14uV
输入失调电压温漂(Vos TC)8nV/℃
压摆率(SR)1.2V/us
输入偏置电流(Ib)10pA
输入失调电流(Ios)4pA
噪声密度(eN)80nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)140dB
静态电流(Iq)235uA
输出电流20mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.5V~5V

WS72552M-8/TR 产品概述

一、简介

WS72552M-8/TR 是 WILLSEMI(韦尔)推出的一款双路零温漂运算放大器,采用 MSOP-8 封装,针对高精度、低漂移和低噪声的信号处理场景设计。器件支持轨到轨输入与轨到轨输出,适用于狭窄电源、电池供电及工业级温度环境(-40℃ ~ +125℃),在精密测量与数据采集系统中表现出色。

二、主要性能指标

  • 放大器数:双路
  • 最大电源电压差 (VDD–VSS):9 V(推荐单电源工作范围:2.5 V ~ 5 V)
  • 轨到轨:输入与输出均为轨到轨结构
  • 增益带宽积 (GBP):1.7 MHz
  • 输入失调电压 (VOS):14 μV
  • 失调电压温漂 (VOS TC):8 nV/℃
  • 压摆率 (SR):1.2 V/μs
  • 输入偏置电流 (IB):10 pA
  • 输入失调电流 (IOS):4 pA
  • 噪声密度 (eN):80 nV/√Hz(@1 kHz)
  • 共模抑制比 (CMRR):140 dB
  • 静态电流 (Iq):235 μA(每对)
  • 输出电流:±20 mA(典型)
  • 工作温度范围:-40℃ ~ +125℃
  • 封装:MSOP-8

三、核心特性

  1. 零温漂性能:14 μV 的超低输入失调配合 8 nV/℃ 的极小温漂系数,保证在宽温区间内长期稳定的直流精度,适合高精度直流测量与传感器前端。
  2. 轨到轨输入/输出:支持接近电源轨的信号处理,提高在低电压单电源系统中的动态范围与设计灵活性。
  3. 低噪声与低偏置:80 nV/√Hz 的噪声密度以及 pA 级偏置电流,适合高阻抗源与微小信号放大,降低误差来源。
  4. 低功耗与适度驱动能力:235 μA 的静态电流适合便携与长寿命电源应用,同时 20 mA 的输出驱动能力足以驱动常见采样电路与模拟负载。

四、典型应用场景

  • 精密传感器接口:压力传感器、温度传感器、应变计与荷重传感器放大器
  • 仪表与数据采集:高精度 ADC 驱动、差分信号转换、单端/差分测量前端
  • 医疗与生命监测设备:低频、生物电信号放大器(需注意带宽与滤波设计)
  • 电池供电与便携设备:低压单电源工作(2.5 V 起)与低功耗要求场景
  • 精密滤波与低速控制回路:有零漂要求的积分器、PI 控制器与慢变化信号处理

五、封装与订购信息

  • 封装形式:MSOP-8(小尺寸、便于高密度 PCB 布局)
  • 型号:WS72552M-8/TR(带托盘或卷带/卷轴包装根据订单而定)
  • 工作温度等级:工业级(-40℃ ~ +125℃),满足严苛环境需求

六、设计建议与注意事项

  • 电源与旁路:为发挥低噪声与低漂移特性,建议在供电引脚处使用紧邻封装的高频旁路电容(如 0.1 μF)并配合较大电容进行低频滤波。
  • 带宽与稳定性:GBP 1.7 MHz 与 1.2 V/μs 的压摆率适合低频到中低频精密放大,若用于高增益或高速脉冲信号需关注相位裕量与补偿。
  • 输入保护:轨到轨结构允许接近电源轨输入,但仍需注意超出电源轨的输入电压或静电放电保护。
  • 温度漂移管理:器件本身温漂极低,但系统级精度仍受外部电阻、电源和温度梯度影响,建议在关键电阻与信号通路处采用阻值低温漂元件并做好热源隔离。

WS72552M-8/TR 凭借零温漂、超低失调与高共模抑制等特性,在要求高直流精度与稳定性的测量与控制系统中具有显著优势,尤其适合对长期漂移和微小信号放大敏感的应用场合。若需进一步的电气特性曲线、典型应用电路或封装尺寸图,可根据具体需求提供详细资料。