型号:

TLV8812DGKR

品牌:TI(德州仪器)
封装:VSSOP-8
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
TLV8812DGKR 产品实物图片
TLV8812DGKR 一小时发货
描述:精密运放 0.0015V/us 双路 0.1pA 6kHz
库存数量
库存:
341
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.25
2500+
2.15
产品参数
属性参数值
放大器数双路
增益带宽积(GBP)6kHz
输入偏置电流(Ib)0.1pA
输入失调电压(Vos)500uV
共模抑制比(CMRR)98dB
压摆率(SR)0.0015V/us
输出电流4.7mA
轨到轨轨到轨输出
输入失调电压温漂(Vos TC)1uV/℃
静态电流(Iq)425nA
工作温度-40℃~+125℃
单电源1.7V~5.5V
最大电源宽度(Vdd-Vss)5.5V
噪声密度(eN)450nV/√Hz@1kHz
输入失调电流(Ios)0.1pA

TLV8812DGKR 产品概述

一、概述

TLV8812DGKR 是德州仪器(TI)推出的一款双通道精密运算放大器,针对低频、超低偏置电流和低功耗的传感器前端及便携测量仪器设计。器件支持低电压单电源供电(1.7 V 至 5.5 V),并具有轨到轨输出能力,可在狭窄电源和电池供电场景下直接驱动高阻抗负载。其极低的输入偏置电流(0.1 pA)和低输入偏移漂移(1 μV/℃)使其非常适合高阻抗传感器接口与微伏级精密测量。

二、关键规格速览

  • 放大器数:双路
  • 增益带宽积(GBP):6 kHz
  • 输入偏置电流(Ib):0.1 pA
  • 输入失调电压(Vos):500 μV
  • 输入失调电流(Ios):0.1 pA
  • 输入失调电压温漂(Vos TC):1 μV/℃
  • 共模抑制比(CMRR):98 dB
  • 压摆率(SR):0.0015 V/μs
  • 输出电流:4.7 mA(典型)
  • 噪声密度(eN):450 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 静态电流(Iq):425 nA(每通道,典型值)
  • 供电电压范围:1.7 V ~ 5.5 V
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 输出特性:轨到轨输出
  • 封装:VSSOP-8
  • 品牌:TI(德州仪器)

三、性能特点与适用场景

  • 极低输入偏置电流(0.1 pA)使之非常适合高阻抗传感器接口,如电化学传感器、静电传感器、高阻抗电桥与霍尔/磁阻微弱信号采集。
  • 低失调电压及极低温漂(1 μV/℃)保证了直流精度,适合精密电压比较、差分测量与长期漂移要求高的测量系统。
  • 轨到轨输出与宽电源范围(1.7–5.5 V)利于电池供电或低压系统,简化电源设计,不必额外生成正负电源。
  • GBP 6 kHz 与极低压摆率(0.0015 V/μs)表明该器件为低速精密放大器,适合直流到低频(Hz 级到 kHz 以下)应用,不适合大带宽或快速瞬态信号放大场合。
  • 低静态电流(425 nA)与低功耗特性适合能耗敏感的便携设备与远程传感节点。

四、典型应用

  • 精密传感器前端:称重传感器、电桥测量、温度/湿度/气体传感器接口
  • 医疗便携设备:慢变生物电信号采集与校准通路
  • 电池与能量监测:高阻抗电压测量与隔离式采样
  • 精密滤波与低频放大:仪表放大器替代或前置放大
  • 低功耗采样系统与远程数据采集节点

五、设计与布局建议

  • 由于输入偏置电流极低,可使用高阻值反馈元件以减少功耗,但高阻值会提高噪声和输入偏感,应在噪声和阻抗之间权衡。典型建议避免使用过于极端的阻值(例如多百兆欧级)以免受杂散泄漏与湿度影响。
  • 对高阻抗节点采用防泄漏布局与清洁制程:使用短走线、保持助焊剂残留清洁或采用清洗流程;必要时在 PCB 上增设金属填充或 guard ring(守卫环)以降低漏电。
  • 供电去耦:在靠近封装的电源引脚布置 0.1 μF 陶瓷去耦和一个 1 μF 旁路电容,保证低频与高频稳定性。低电源噪声有助提升整体直流精度和噪声性能。
  • 输出负载与驱动:输出电流约 4.7 mA,适合高阻抗负载或驱动小容性负载。若需驱动较大电流或长导线,应增加外部缓冲或功率放大级。
  • 带宽计算:闭环带宽可按 GBP/闭环增益 估算。举例:在增益为 1 时带宽接近 6 kHz,而在增益为 10 时带宽降至约 600 Hz。对于需要更高带宽的场合,应考虑更高速运放。

六、注意事项与局限

  • 压摆率仅 0.0015 V/μs,输入快速阶跃或脉冲会导致显著失真或速率限制,不适合音频以上或快速开关信号应用。
  • 输出驱动能力有限,不适合大电流负载或重负载电阻直接驱动,应使用后级驱动器。
  • 噪声密度在 1 kHz 时为 450 nV/√Hz,若系统对低频噪声(1/f)极为敏感,应在设计中加以滤波和平均。
  • 在恶劣环境(高湿度或高污染)下,极低的输入偏置电流特性可能受湿度与泄漏路径影响,需在 PCB 设计与封装清洁上做额外控制。

七、总结

TLV8812DGKR 为面向低频、超低偏置电流与高直流精度场景的双通道运算放大器。它的低功耗、轨到轨输出和宽工作电压使其在便携式仪器与传感器前端设计中具有明显优势。设计时需考虑其带宽与压摆率限制,并在高阻抗节点采用合适的 PCB 防泄漏措施,以发挥其优异的直流性能与低泄漏特性。