NFMJMPL226R0G5D 产品概述 — muRata（村田）

一、产品简介

NFMJMPL226R0G5D 为 muRata（村田）系列馈通/去耦电容器，22µF 容值、额定电压 4VDC，公差 ±20%。该器件采用极低等效串联电感（Low ESL）设计，适合高频去耦与电源回路瞬态响应要求高的场合。封装为 0504（微型表面贴装），适配空间受限的模块化设计。

二、主要参数

• 容值：22 µF
• 精度：±20%
• 额定电压：4 V DC
• 额定电流（纹波/脉流能力）：2 A
• 直流电阻（DCR）：30 mΩ
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +85 ℃
• 特性：低 ESL，适合高速去耦

三、关键特性与优势

• 低 ESL：改善高频旁路性能，降低电源噪声和电压振铃。
• 低 DCR 与较高额定电流：支持较大纹波电流与短时脉冲，适合点载荷供电。
• 小型化封装：便于在紧凑电源模块、移动设备与板级电源网络中布局。
• 宽温度范围：可在工业级温度区间内稳定工作。

四、典型应用场景

• 模拟/数字电源去耦、SOC、FPGA、处理器的近端去耦
• DC-DC 降压/升压转换器输出侧滤波
• 射频/高速接口的滤波与阻抗匹配辅助
• 移动设备、电源模块、通信设备及工业控制类电子产品

五、布局与使用建议

• 靠近被去耦器件的电源引脚放置，尽量缩短焊盘到引脚的回流路径，降低寄生电感。
• 使用宽饱和铜迹与多盏地/电源过孔减小串联阻抗，提升散热与纹波承载能力。
• 在高应力应用中并联低阻抗电容（例如小容值 MLCC）以优化高频与低频响应。
• 避免在超出额定温度、电压下长期工作，以延长寿命与可靠性。

六、封装与订购信息

封装型号：0504（表面贴装微型封装）。订购时请确认完整料号与批次信息以获取最新数据手册与焊接规范。

七、可靠性与注意事项

• 推荐参考 muRata 提供的器件数据手册进行焊接曲线与回流工艺设置，以避免热应力损伤。
• 适用于 RoHS 合规的生产环境；在关键应用中建议进行实际环境下的老化验证与电气测试。