MMST5551 产品概述

一、主要特性

MMST5551 是扬杰（YANGJIE）出品的高压小功率 NPN 双极型晶体管，封装为 SOT-323，适用于空间受限的低功耗开关和信号放大场合。器件特点包括高耐压、低漏电、较高增益和较好的高频响应，便于在便携式、通信与仪表类电路中实现可靠的小信号处理与开关控制。

二、主要参数

• 晶体管类型：NPN（BJT）
• 最大集电极电流 Ic：600 mA
• 集射极击穿电压 Vceo：160 V
• 耗散功率 Pd：200 mW（封装限值，需注意降额）
• 直流电流增益 hFE：100（测试条件 Ic = 10 mA，VCE = 5.0 V）
• 特征频率 fT：100 MHz
• 集电极截止电流 Icbo：50 nA
• 集电极饱和电压 VCE(sat)：200 mV（典型）
• 射基极击穿电压 Vebo：6 V
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 品牌与封装：YANGJIE（扬杰），SOT-323

三、典型应用场景

• 低功耗信号开关与驱动：用于数字线驱动、门电路输出级或小型继电器/光耦驱动（注意功耗限制）。
• 小信号放大：用于前置放大、射频/视频信号的低噪声放大与级间缓冲（fT ≈ 100 MHz 支持中低频段）。
• 移动与便携设备：SOT-323 小型封装适合空间受限的移动终端与传感器模块。
• 精密检测与仪表：低漏电流特性（Icbo ≈ 50 nA）有利于高阻测量输入级及电荷放大电路。

四、典型电路与使用建议

• 开关应用：采用共发射极配置，基极串联限流电阻以控制基流，确保 VCE 与功耗不超过器件额定值。若为频繁高电流脉冲，应计算脉冲宽度与热积累，避免超过 Pd。
• 放大应用：在 Ic ≈ 10 mA 附近可获得较稳定的 hFE ≈ 100，适用于前置放大或缓冲；若用于更高电流工作点，请参考数据手册曲线并验证 hFE 下降情况。
• 热管理：SOT-323 封装散热能力有限，印刷电路板上应采取铜箔散热、加大焊盘面积或靠近散热层布置；在高环境温度下应按厂商降额曲线计算允许的最大功耗。

五、封装与可靠性

SOT-323 小封装有助于高密度贴片组装与自动化生产，但对焊接工艺与热冲击敏感。存储与回流焊应遵循厂商建议的湿敏等级与回流曲线，以保证长期可靠性。出于安全与长期稳定性考虑，实际设计中应预留足够裕量，避免在极限参数附近长期工作。

如需更详细的极限参数曲线、典型应用电路图或焊接/降额建议，请参照扬杰官方数据手册或联系供应商获取完整技术资料。