SD12CT1G 产品概述

一、产品简介

SD12CT1G 是东沃（DOWO）出品的一款小型表面贴装瞬态电压抑制器（TVS），属于双向 ESD 保护器件，封装为 SOD-323，单路结构。器件针对瞬态过压和静电放电事件提供快速钳位保护，适用于对体积和封装成本敏感的电路板设计。

二、主要电气参数

• 极性：双向（可对正负瞬态进行对称钳位）
• 反向截止电压 Vrwm：12 V（标称驻留电压）
• 击穿电压：13 V（启动导通的阈值）
• 钳位电压：20 V（在峰值脉冲电流下的典型钳位电压）
• 峰值脉冲电流 Ipp：18 A
• 峰值脉冲功率 Ppp：400 W
• 反向电流 Ir：500 nA（常温下在 Vrwm 条件下的泄漏电流）
• 通道数：单路
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +125 ℃

三、特点与优势

• 小封装（SOD-323），便于高密度贴装与空间受限设计。
• 双向保护，适用于交流或可正/负切换的信号线与接口。
• 400 W 的瞬态吸收能力配合 20 V 的钳位电压，能在较强脉冲下保护下游器件不被击穿。
• 低泄漏电流，适合对待机功耗要求高的系统。

四、典型应用场景

• 各类通信接口与数据线防护（USB、串口、音频/视频接口等）
• 电源线和局部供电轨的瞬态抑制（适合 ±12 V 及以下系统）
• 工业控制、仪器仪表、安防设备的接口保护
• 消费电子及车载电子中对 ESD 和浪涌保护的需求点

五、布局与使用建议

• 器件应尽量靠近受保护的连接器或信号入点布置，以缩短走线并降低感抗引入的振铃。
• 将器件共同地参考点（GND）通过短而粗的回流路径连接到主地平面，必要时使用铺铜和热过孔以提升能量吸收能力。
• 对于双向器件，两端须分别连接到被保护线与地（或对称接地结构），注意电路中是否存在持续直流偏置超过 Vrwm 的情况。
• 在焊接与回流工艺中，按常规 SMD 元件工艺处理，避免过长高温暴露导致器件性能退化。

六、可靠性与存储

• 器件工作温度范围宽，适合工业级应用。
• 存储与运输时避免潮湿及强烈机械冲击，长时间存放建议按厂商供应的包装说明进行密封防潮保存。
• 在高能量脉冲后应检测器件是否受损（如降低钳位能力或泄漏电流异常），必要时更换以保证系统可靠性。

总结：SD12CT1G 以其小型化封装、双向保护和较高的瞬态能量吸收能力，适用于多种需要局部 ESD/浪涌防护的电子系统。在设计中合理布局和接地处理能够最大化其保护效果。若需更详细的标准测试条件和外形尺寸图，请参考厂方数据手册或联系供应商获取原始资料。