IRF510SPBF 产品概述

一、产品简介

IRF510SPBF 是 VISHAY（威世）推出的一款 100V 额定的 N 沟增强型功率 MOSFET，适用于中低功率开关和功率放大场合。该器件在 D2PAK（TO-263）封装下提供可靠的热性能和机械强度，适合标准 SMT 组装流程。

二、主要参数

• 类型：N 沟道功率 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：100V
• 连续漏极电流 Id：5.6A
• 导通电阻 RDS(on)：540 mΩ @ Vgs = 10V（测试电流 3.4A）
• 阈值电压 Vgs(th)：约 4V
• 总耗散功率 Pd：43W
• 栅极电荷 Qg：8.3 nC @ Vgs = 10V
• 输入电容 Ciss：180 pF
• 输出电容 Coss：81 pF
• 反向传输电容 Crss：15 pF @ 25V
• 工作温度范围：-55℃ ～ +175℃
• 封装：D2PAK (TO-263)

三、电气与开关特性说明

此器件的 RDS(on) 在 Vgs=10V 时为 540 mΩ，说明在逻辑驱动或中等栅压下导通损耗处于中等水平，适合对效率要求不极端苛刻的应用。栅极电荷 Qg=8.3 nC 与输入电容 Ciss=180 pF 表示栅极驱动能量需求适中，需在高频开关时考虑驱动器的带宽与驱动电流能力。Crss 较小（15 pF）有利于减小米勒效应对开关过渡时间的影响。

四、热特性与封装

D2PAK（TO-263）封装提供良好的散热通道和可焊接性，最大耗散功率 43W（在规定的散热条件下）表明器件可在中等功率水平下稳定工作。实际应用时需关注 PCB 散热设计、铜箔面积及散热片连接，以保证结温在安全范围内。

五、典型应用场景

• 低到中功率开关电源（非极高频）
• 电机驱动的功率级（中小功率）
• 线性放大或缓冲电路
• 保护开关与功率分配模块

六、使用建议与注意事项

• 若用于高频开关，应评估驱动电路能否提供足够的瞬态驱动电流以快速充放电栅极，降低开关损耗。
• 在高温或长期大电流场合，需保证良好散热并留有适当的安全裕度。
• Vgs(th) 约 4V，表示低电压驱动时可能无法进入低 RDS(on) 区，应尽量采用接近 10V 的栅压以获得标称导通电阻性能。
• 关注器件的 SOA（安全工作区）及瞬态浪涌电流限制，避免在超出规格的条件下工作。

七、总结

IRF510SPBF 是一款面向通用功率应用的 100V N 沟 MOSFET，具有中等导通电阻和适中的栅极电荷，D2PAK 封装在散热和组装方面具有实用优势。合理的驱动与散热设计可以使其在开关电源、驱动和保护电路中稳定工作。