型号:

BC847W

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-323
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
BC847W 产品实物图片
BC847W 一小时发货
描述:三极管(晶体管) BC847W 1E SOT-323
库存数量
库存:
1625
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.079056
3000+
0.062856
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE)90@10uA,5V
特征频率(fT)770MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN

BC847W(1E,SOT-323)产品概述

一、概述

BC847W 是一款高增益、低噪声的小信号 NPN 晶体管,CJ(江苏长电/长晶)生产,采用 SOT-323 超小封装。器件适用于开关与放大电路,兼顾低电流工作点下的良好增益与高频特性,适合便携与空间受限的电路板设计。

二、主要参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流 Ic:100 mA(最大)
  • 集射极击穿电压 Vceo:45 V
  • 耗散功率 Pd:150 mW
  • 直流电流增益 hFE:90(在 Ic ≈ 10 μA、Vce = 5 V 时)
  • 特征频率 fT:770 MHz
  • 集电极截止电流 Icbo:15 nA
  • 集电极-射极饱和电压 VCE(sat):≈ 250 mV(典型)
  • 射基击穿电压 Vebo:6 V
  • 工作温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃
  • 封装:SOT-323;封装型号后缀“1E”表示具体分选/标识

三、关键特性

  • 高增益:在极低电流时仍维持较高 hFE,便于电流放大与模拟前端应用。
  • 高频响应佳:770 MHz 的 fT 使其在射频前端或高速开关中表现良好。
  • 低漏电流与低饱和压降:Icbo 小,VCE(sat) 低,利于低功耗设计。
  • 宽温度范围:适用于工业级与苛刻环境。

四、典型应用

  • 小信号放大器与前置放大电路
  • 低功耗开关、脉冲驱动电路
  • 模拟混合信号前端、射频前置放大(低功率)
  • 便携设备、传感器接口与电平转换

五、设计与使用建议

  • 考虑封装 Pd 限制,在高 Ic 条件下需留出热裕度或降额使用;尽量避免长期在 Pd 附近工作。
  • SOT-323 热阻较高,建议优化 PCB 散热,增加铜箔面积或散热场。
  • 对于关键模拟信号路径,应注意布局与走线,减小寄生电容与感抗以发挥高 fT 性能。
  • 处理时注意防静电,保存与贴装遵循器件制造商的建议回流温度曲线。

六、采购与封装说明

  • 品牌:CJ(江苏长电/长晶)
  • 封装:SOT-323,适合贴片回流焊接。
  • 订购时请注意型号后缀(如 1E)与出货包装,以确保分批一致性与标识匹配。

如需电气特性曲线、典型应用电路或封装图纸,可根据具体设计要求进一步提供参考资料与仿真建议。