TS883IQ2T 产品概述

一、产品简介

TS883IQ2T 是意法半导体（ST）推出的一款低功耗双路比较器，集成于 DFN-8（2×2 mm）超小封装。该器件具有轨到轨输入、非常低的输入偏置电流和低输入失调，适合对精度和功耗有严格要求的便携与工业应用。输出为开路漏极（Open-Drain），便于与不同电平的系统逻辑兼容。

二、主要参数

• 比较器数：双路
• 输入失调电压 (Vos)：1 mV（典型）
• 输入偏置电流 (Ib)：5 pA（典型）
• 滞后电压 (Vhys)：2.6 mV
• 轨到轨：轨到轨输入（输入共模范围可覆盖电源轨）
• 静态电流 (Iq)：250 nA（整片总静态电流，典型）
• 输出类型：开路漏极（需要外部上拉电阻或上拉器件）
• 工作温度范围：-40 ℃ ～ +125 ℃
• 封装：DFN-8 (2×2 mm)
• 品牌：ST（意法半导体）

三、关键特点

• 超低功耗：单片典型静态电流仅 250 nA，适合电池供电与长待机应用。
• 高精度：1 mV 的输入失调和极低的输入偏置电流保证了高灵敏度与稳定性。
• 小型封装：2×2 mm DFN-8 有利于高密度 PCB 布局和体积受限设计。
• 灵活的输出接口：开路漏极输出支持与不同电平的逻辑直接接口（需外加上拉）。
• 宽温度范围：工业级工作温度覆盖 -40℃ 至 +125℃，适应恶劣环境。

四、典型应用

• 电池监测与电源管理（欠压/过压检测）
• 便携医疗与可穿戴设备的阈值检测
• 传感器信号比较与阈值触发电路
• 工业控制与电机保护的状态检测
• 低功耗唤醒电路与节能系统

五、封装与订购信息

TS883IQ2T 采用 DFN-8 (2×2 mm) 封装，适合自动贴片生产。DFN 封装通常带有中心散热焊盘，建议焊盘按厂商推荐封装工艺设计，以保证可焊性和热性能。订购时请参考 ST 官方型号 TS883IQ2T 并注意批号与温度等级。

六、设计与布局建议

• 输出上拉：由于为开路漏极输出，必须外接上拉电阻或使用有源上拉，选取上拉阻值时在响应速度与功耗之间权衡。
• 输入保护：尽管为轨到轨输入，仍建议在高噪声环境下加入小电容或 RC 滤波以抑制瞬态。
• 色差与偏置：为发挥 1 mV 失调性能，布局时尽量使比较器输入引脚附近走线对称并远离高电流回路。
• 焊盘与散热：DFN 中心焊盘通过多盲孔或通孔接地以改善热散与可靠性。遵循厂商推荐的 PCB 焊盘尺寸和回流曲线。
• 温度与漂移：在极端温度下监测输入失调与滞后变化，必要时通过回路校准或外部补偿减小温漂影响。

TS883IQ2T 以其低功耗、高精度和小型封装，适合对能耗与空间敏感但又要求稳定检测性能的系统。根据实际应用对上拉电平、滤波和 PCB 布局进行优化，可获得最佳性能表现。