TMI8118S 产品概述

一、概述

TMI8118S 是拓尔微（TMI）面向有刷直流电机驱动的单路 H 桥驱动芯片，采用 SOP‑8（150 mil）封装，内置功率 MOSFET，适合电池供电和便携类小功率电机驱动场合。器件工作电压范围宽（1.6V～7.2V），并且静态电流极低，适合对待机功耗敏感的系统。

二、主要参数

• 集成 FET：是（内置功率 MOSFET，减少外部元件）
• H 桥 数量：1 路
• 峰值电流：2 A（峰值能力）
• 工作电压：1.6 V ～ 7.2 V（适用单节锂电池或低压电源）
• 导通电阻 RDS(on)：530 mΩ（标称值）
• 静态电流 Iq：100 nA（极低待机功耗）
• 工作温度：-30 ℃ ～ +85 ℃
• 封装：SOP‑8（150 mil）

三、主要特性与优势

• 内置功率 MOSFET，简化外围设计与 PCB 布局，缩小整体方案体积。
• 宽电压范围支持单节锂电池至多节电池或低压稳压供电，灵活性高。
• 极低静态电流（100 nA）有利于延长电池寿命，适合长时间待机或间歇工作场景。
• SOP‑8 封装便于中小批量生产与现有通用 PCB 工艺兼容。

四、典型应用

• 小型玩具电机驱动、微型车模驱动
• 智能门锁、摄像头云台、家用小型执行器
• 便携式风扇、散热风扇驱动
• 电池供电的低功耗设备中的单路直流电机控制

五、设计与使用建议

• 热耗散管理：标称 RDS(on) 为 530 mΩ，若按 H 桥导通路径两只 MOSFET 串联计算，等效导通电阻约为 1.06 Ω。峰值 2 A 时瞬态损耗可达约 4.2 W（P = I^2·R），因此不建议长时间在峰值电流下连续工作，应通过限流、降低占空比或增加散热（扩大铜箔、加散热片）来控制结温。
• 电源去耦：在芯片电源输入处放置适当的旁路电容（如 1 μF～10 μF 陶瓷），减小瞬态电压扰动。
• 电机抑制：为降低电磁干扰与反向尖峰，应在电机端或电源端加抑制电路（如 RC、TVS 或电容）并注意接地布线。
• 保护与检测：若系统对过流/过温保护有严格要求，建议外加检测与保护电路（限流电阻、熔断器或外部监控器件），并参照完整数据手册评估器件内部保护功能。

六、注意事项

• 峰值电流与连续电流不同，选择驱动电流时以长期稳定工作条件为准并考虑热设计裕量。
• 具体功能脚位、电平阈值及内部保护特性（如短路限流、热关断等）请以厂商数据手册为准，样片评估时应做完整的电气与热测试。

七、封装与采购

• 封装形式：SOP‑8（150 mil），适合通用插装与贴装工艺。
• 品牌：TMI（拓尔微）。欲开展样片评估或批量采购，请联系供应商获取完整规格书、封装图与推荐 PCB 布局示意，以保障设计可靠性。

总结：TMI8118S 适用于对体积、成本和低待机功耗有要求的低压小功率有刷直流电机应用。在使用时需关注热耗散与连续电流限制，并按照厂商数据手册完成电气与热性能验证。