UMW 4N35 光电耦合器 产品概述

UMW（友台半导体）4N35 是一款单通道光电三极管输出的直流输入光电耦合器，采用标准 DIP-6 封装，适用于需要电气隔离与信号传输的低速控制与检测场景。器件在输入 LED 与输出光耦三极管之间提供高达 5kVrms 的绝缘耐压，能够实现可靠的信号隔离与保护。

一、主要技术参数

• 输入类型：DC（发光二极管作为输入）
• 输出类型：光电三极管（光耦输出）
• 正向压降（Vf）：1.4V（LED）
• 正向电流（If）额定：50mA（最大）
• 输出电流（IC）最大：80mA
• 隔离电压（Vrms）：5kV
• LED 直流反向耐压（Vr）：6V
• 输出耐压（负载电压）：80V（VCE 最大）
• 输出通道数：1 通道
• 集—射极饱和电压（VCE(sat)）：约 300mV（在指定测试条件下，典型 IF/IC 条件见数据手册）
• 上升/下降时间（tr / tf）：12µs / 12µs（典型）
• 工作温度范围：-55℃ ~ +110℃
• 电流传输比（CTR）：最小 100%（典型或保证值视批次）
• 封装：DIP-6
• 品牌：UMW（友台半导体）

二、性能亮点与适用场景

1. 高隔离强度：5kVrms 隔离电压适合需要安全隔离或地回路分离的工业控制、继电器驱动、传感器接口等场合。
2. 大输出能力：最高可驱动到 80mA，适合直接驱动小型继电器或作为后级驱动器前的信号源（注意遵循 VCE 与功耗限制）。
3. 宽温度工作范围：-55℃~+110℃，可在苛刻环境下长期工作。
4. 适合低频/中频信号：12µs 的上升/下降时间决定了该器件适合几十 kHz 以内的信号传输（典型带宽约几十 kHz），不适用于高速串行或高频开关电源控制。

三、典型电路与使用建议

• LED 驱动：为保护 LED，应串联限流电阻。举例：在 5V 驱动下若需 IF ≈ 5mA，则 R ≈ (5V - 1.4V) / 5mA ≈ 720Ω。根据所需 CTR 与响应速度，可在 1~20mA 之间选择合适 IF。
• 输出接口：光电三极管通常需上拉电阻至所需逻辑电平（如 5V、12V），上拉电阻值影响响应速度与噪声抗扰性，典型取值 4.7kΩ~47kΩ。
• 饱和与驱动能力：当希望输出处于饱和导通时，注意 VCE(sat) 在额定条件下约 0.3V，实际饱和度受 IF 与 IC 比例影响，设计应留有裕量避免长期在极限状态工作。
• 反向保护：LED 反向耐压仅 6V，应避免反向电压或增加保护二极管。
• 温度与老化：CTR 随温度与老化有所漂移，关键应用中建议按最差条件设计并预留裕量。

四、封装与引脚（常见）

4N35 标准 DIP-6 封装，底部/侧面标识便于插装使用。标准引脚分配常见为：1=Anode（LED+），2=Cathode（LED-），3=NC，4=Emitter，5=Collector，6=Base（可用作外加基极偏置/提高响应）。具体引脚与封装尺寸请参阅 UMW 数据手册确认。

五、注意事项与可靠性提示

• 在高压隔离应用中应保持适当爬电与爬电距离，使隔离性能满足系统认证要求。
• 避免 LED 长时间在最高 If 工作以延长寿命；必要时降额使用（例如工作在额定的 30%~70%）。
• 输出若要驱动较大电流或更快响应，建议使用光耦作为信号隔离而非最终功率开关，后级用晶体管或 MOSFET 承担高功率。

总结：UMW 4N35 是一款可靠、隔离等级高、适用于多种工业与通用控制场景的光电耦合器。凭借其 DIP-6 兼容封装和良好的温度范围，适合在传统电路板设计中替代或采用作为隔离信号传输方案。欲获得更详尽的测试条件与极限参数，请参考 UMW 官方数据手册。