型号:

2SA73

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
2SA73 产品实物图片
2SA73 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 50V 150mA PNP
库存数量
库存:
6000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.047634
3000+
0.03774
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)150mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)120@1mA,6V
特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V

2SA73 产品概述

一、概述

2SA73 是友台半导体(UMW)推出的一款小功率 PNP 双极结型晶体管,封装为 SOT-23,适用于便携设备及通用模拟电路中需要小电流、高电压兼容的场合。该器件在 150mA 集电极电流(Ic)和 50V 集-射极击穿电压(Vceo)条件下工作稳定,耗散功率为 200mW,适合音频前级、开关及放大电路中的低功耗设计。

二、主要电气参数

  • 晶体管类型:PNP
  • 最大集电极电流(Ic):150 mA
  • 集-射极击穿电压(Vceo):50 V
  • 最大耗散功率(Pd):200 mW(封装限制,需考虑热管理)
  • 直流电流增益(hFE):120(典型,测量条件 1 mA,Vce = 6 V)
  • 特征频率(fT):50 MHz(适合中低频放大)
  • 集电极截止电流(Icbo):100 nA(典型)
  • 集-射极饱和电压(VCE(sat)):约 300 mV(饱和状态下,利于低压降开关)
  • 射-基极反向击穿电压(Vebo):5 V
  • 工作温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃

三、主要特点与优势

  • 高电压耐受:50V 的 Vceo 支持更宽的电源电压范围及更高的安全余量。
  • 低功耗封装:SOT-23 小型封装兼顾空间节省与表面贴装工艺,适合移动终端与密集 PCB 布局。
  • 良好放大性能:在小电流工作点时 hFE 较高(约120),便于实现电流放大与偏置稳定。
  • 高频特性适中:fT≈50MHz,可胜任低至中频放大与开关应用。
  • 低泄漏与低饱和压:Icbo 低,有助于高阻态保持;VCE(sat) 低可降低开关损耗。

四、典型应用

  • 音频前置放大器与偏置电路
  • 低电压开关、逻辑接口转换
  • 电池供电便携设备的功率管理与驱动
  • 温度及电流检测放大器节点
  • 小信号放大与电平搬移电路

五、设计与使用建议

  • 热管理:SOT-23 的 Pd 为 200 mW,实际使用时需在 PCB 设计中考虑铜箔散热和器件工作点的功率损耗,避免在高环境温度下超出热限制。
  • 工作范围:避免在基极施加超过 Vebo(5 V)的反向电压;同时保持集电极电压低于 Vceo(50 V)以防击穿。
  • 偏置与放大:建议在目标工作电流附近验证 hFE,以保证电路偏置稳定性;在需要精密放大时注意温度漂移影响。
  • 饱和与开关:若用于开关应用,应根据实际开关电流和基极驱动条件评估 VCE(sat) 与开关损耗。

六、封装与订单信息

  • 品牌:UMW(友台半导体)
  • 型号:2SA73
  • 封装:SOT-23(表面贴装)
  • 适用场景:通用小信号放大、低功耗开关与便携设备电源管理

2SA73 以其在小型化封装下兼顾电压耐受与放大能力的特性,适合广泛的消费电子与工业控制小信号应用。在实际设计中建议配合电路仿真与样品测试,以确认在目标工作点下的热与电性能满足系统要求。