5N10（GOODWORK 固得沃克）产品概述

一、产品简介

5N10 是一款单颗 N 沟增强型 MOSFET，封装为 SOT-23，适用于低功率开关和功率管理场合。该器件耐压 100V，连续漏极电流 5A（器件极限值），典型耗散功率 1.2W，工作温度范围宽（-55℃ 至 +150℃），适合便携设备、开关电源和保护电路等应用。

二、主要电气参数

• 漏源耐压 Vdss：100V
• 连续漏极电流 Id：5A
• 导通电阻 RDS(on)：140mΩ（Vgs=10V, Id=3A）
• 阈值电压 Vgs(th)：约 3V
• 总栅电荷 Qg：4.3nC（Vgs=10V）
• 输入电容 Ciss：206pF（Vds=50V）
• 反向传输电容 Crss：1.4pF（Vds=50V）
• 功耗 Pd：1.2W（SOT-23 封装典型）
• 工作温度：-55℃～+150℃

三、特性亮点与应用场景

• 高频开关兼顾导通与开关损耗：Q g 适中且 Crss 较小，有利于降低米勒效应，适合中高压快速开关。
• 小封装、功率密度适中：SOT-23 适合空间受限的 PCB 设计，适用于电池供电设备、低功率 DC-DC 升降压转换、线性负载开关、继电器/电磁阀驱动及电源保护电路。
• 阈值电压 ~3V，需注意门极驱动：在 5V 逻辑驱动下导通性能会受到影响，若要求较低 RDS(on) 建议采用 10V 门极驱动。

四、驱动与热管理建议

• 驱动电压：若追求最低导通阻抗，建议 Vgs=10V；若仅用 5V 或 3.3V 驱动，应检查在该电压下的 RDS(on) 并评估损耗。
• 开关速度优化：Qg=4.3nC，选择合适驱动电流可在兼顾开关损耗与 EMI 的前提下实现快速翻转。Crss 小，有利于减少米勒下冲。
• 散热与布局：SOT-23 封装 Pd=1.2W（典型），实际可用功耗受 PCB 铜面积和环境温度影响，设计时应留足散热铜箔并缩短电流回路路径，必要时做散热垫或增加热 vias。高温工况建议降额使用以保证可靠性。

五、封装与注意事项

• 封装：SOT-23，小体积，便于自动贴装。
• 引脚示例（以厂家资料为准）：常见 SOT-23 布局为 1：G，2：D，3：S；具体请参照 GOODWORK 官方封装图纸与 PCB 封装建议。
• 使用提醒：器件为静电敏感元件（ESD），装配与测试过程需采取防静电措施；产品选型时请参考完整数据手册以获取 SOA、脉冲能力及测试条件等详细信息。

总结：5N10（GOODWORK）以 100V 耐压、适中导通电阻和小体积封装为特征，适合中高压但低至中等电流的开关和保护类应用。设计中注意门极驱动、散热与 PCB 布局，即可发挥其在空间受限电源系统中的优势。