DMN2990UFO-7B 产品概述

一、产品简介

DMN2990UFO-7B 是 DIODES（美台）推出的一款 N 沟道场效应管，额定漏源电压 20V，适合低电压直流开关与电源路径控制应用。器件工作温度范围宽（-55℃ ~ +150℃），单只器件，封装为 X2-DFN0604-3，体积小、适合空间受限的便携与板载电源设计。

二、主要参数

• 漏源电压 Vdss：20V
• 连续漏极电流 Id：750mA（额定）
• 最大耗散功率 Pd：840mW
• 导通电阻 RDS(on)：1.2Ω @ Vgs = 2.5V，Id = 680mA
• 阈值电压 Vgs(th)：1.0V
• 总栅极电荷 Qg：410pC @ Vgs = 4.5V
• 输入电容 Ciss：31pF @ 15V
• 反向传输电容 Crss：2.6pF @ 15V
• 封装：X2-DFN0604-3

三、性能特点

• 逻辑电平可驱动：Vgs(th) ≈1V，2.5V 驱动下 RDS(on) 明确，适合低压逻辑控制场合。
• 小尺寸低功耗：X2-DFN0604-3 封装适合紧凑 PCB 布局与自动贴装。
• 低 Ciss/Crss：Ciss=31pF、Crss=2.6pF，开关时寄生影响较小，有利于控制开关过渡。
• 较高栅极电荷：Qg=410pC@4.5V，表明在快速切换或高频驱动时需注意栅极驱动能力与开关损耗。

四、典型应用

• 电源路径控制与负载开关（如便携设备电源断路/切换）
• 低电压直流负载驱动（小电流马达、传感器供电）
• 电池保护电路及反向电流阻断
• 非高频开关场合的功率开关或模拟开关元件

五、设计与使用建议

• 驱动与开关：尽管器件在 2.5V 有 1.2Ω 的 RDS(on)，但栅极电荷较大（410pC），推荐使用能提供足够电流的驱动器或在栅极串联合适的限流电阻以控制上升/下降速率，避免驱动器过载并减少振铃。
• 热设计：Pd=840mW，在靠近额定电流工作（例如 680–750mA）时，器件功耗接近额定耗散，需在 PCB 布局上提供良好散热（铜箔散热铺设与焊盘过孔）。建议按温度降额使用并验证实际结温。
• 保护与滤波：用于感性负载时应考虑加入续流二极管或 RC 吸收网络，减小瞬态电压对 MOSFET 的冲击。
• 开关频率限制：鉴于较大的 Qg，本器件不适于高频（数百 kHz 以上）大功率转换，适合低频或静态开关应用。

六、封装与可靠性

X2-DFN0604-3 为小型 DFN 封装，适合自动贴装生产。由于封装尺寸较小，焊盘设计与回流温度曲线需遵循厂商推荐，以保证焊接可靠性。器件应按一般 MOSFET ESD 防护措施处理和存储，避免静电损伤。

总结：DMN2990UFO-7B 是一款面向低电压、低功耗、空间受限应用的 N 沟道 MOSFET，具有逻辑电平驱动能力和便于 PCB 布局的 DFN 封装。在设计中需关注栅极驱动能力与热管理，以发挥其在开关和电源路径控制中的可靠性能。