AP3125HAKTR-G1 产品概述

一、产品简介

AP3125HAKTR-G1 是 DIODES（美台）推出的一款用于隔离型反激式开关电源的 PWM 控制器/PMIC。器件为单路（Ch:1）PWM 控制，封装为 SOT-26，工作电压范围 10V～25V，支持开关频率 20kHz～108kHz（典型工作点约 100kHz），最大占空比 75%，隔离拓扑（反激式）应用优先，结温范围 -40°C ～ +150°C。-G1 后缀通常指环保/无铅合规封装。

二、主要电气特性

• 拓扑：反激式（isolated flyback）
• 输入/工作电压：10V ～ 25V（建议配合合适的启动和补偿电路）
• 开关频率范围：20kHz ～ 108kHz（典型 100kHz）
• 最大占空比：75%（用于设计最大输出时需留有裕量）
• 通道数：1 路 PWM 控制
• 驱动/参考电流标称值：350mA（用于器件规格内部参考或外部驱动能力说明，具体按数据手册校准）
• 封装：SOT-26，适合空间受限的功率模块设计
• 环境温度：Tj -40°C ～ +150°C（结温极限，PCB 散热设计需考虑）

三、典型应用场景

• 低功率隔离型电源（反激式）：适用于小功率适配器、插座式电源模块、隔离通信供电等
• 工业/消费类隔离电源：需要稳压、隔离且体积受限的场合
• 需要中等频率（~100kHz）与受控占空比的开关电源设计

四、设计要点与注意事项

• 占空比受限：最大 75%，设计时需保证工作点不会超出该范围以避免变压器饱和或输出异常。
• 频率选择：100kHz 为常用点，频率提升有利于减小磁性元件体积，但需关注器件开关损耗与 EMI。
• MOSFET 与驱动：根据 350mA 参考值选择开关管及门极驱动能力，关注门极电荷（Qg）与开启/关断损耗。
• 保护与吸收：建议设计 RCD 或斜坡吸收、复位电路与漏极电压钳位，防止反激尖峰损伤器件。
• 热管理：结温上限 150°C，需在 PCB 上预留散热铜箔和热通孔，注意环境温度与功率损耗匹配。
• 隔离安全：反激输出为隔离侧，设计时需满足安全规范（爬电距离、加固/基本隔离等）并选用符合认证的变压器。
• 去耦与布板：输入侧与 VCC 旁路电容要靠近 IC，关断回路布局尽量短且成环置放以降低噪声和 EMI。

五、封装与采购

• 封装类型：SOT-26，适合自动贴装（SMT）。
• 标识与合规：型号 AP3125HAKTR-G1，-G1 代表环保/无铅合规，具体包装形式（卷带/盘等）请参照供应商数据单或经销商信息。
• 建议获取并参阅 DIODES 官方数据手册，确认典型特性曲线、引脚功能和完整的电气/热规范，以便精准设计与可靠性验证。

总结：AP3125HAKTR-G1 为面向隔离反激式小功率电源的单通道 PWM 控制器，适合在 10–25V 工作电压和 ~100kHz 频率下实现紧凑、受控的隔离供电方案。设计时需关注占空比限制、热管理与隔离安全等关键点，以确保长期可靠运行。