DMTH45M5LPDWQ-13 产品概述

一、产品简介

DMTH45M5LPDWQ-13 为 DIODES（美台）出品的双通道 N 型 MOSFET 器件，器件耐压 40V，专为高效率开关电源及功率开关应用设计。产品采用 PowerDI5060-8 (TYPEUxD) 封装，兼顾低导通损耗与良好散热性能，适配汽车 12V 系统、DC–DC 变换器、同步整流与电机驱动等场景。

二、主要电气特性

• 漏源电压 (Vdss)：40V
• 连续漏极电流 (Id)：79A（器件条件、散热和工作温度相关）
• 标称单通道参考值：55A（资料中同时列出，可视封装及冷却条件变化）
• 导通电阻 (RDS(on))：典型 5.5 mΩ @ Vgs = 10V（低 Rds(on) 有利于降低导通损耗）
• 漏极峰值脉冲电流 (Idm)：316A（短时脉冲能力，需参考 datasheet 限制）
• 阈值电压 (Vgs(th))：2.3V @ 250 μA
• 总栅极电荷 (Qg)：13.9 nC @ 10V（栅极电荷小，有利于高频开关）
• 功率耗散 (Pd)：3W（封装热能力指标）
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +175 ℃

三、性能与应用价值

该器件在 10V 驱动下能体现极低的 RDS(on)，适合作为低损耗开关元件。13.9 nC 的较小栅极电荷使得在高频开关场合驱动损耗和切换损耗均得到控制，便于使用低功率驱动器或减少驱动器体积。器件工作温度覆盖宽温区，满足汽车级和工业级环境要求。

典型应用包括：

• 同步整流与降压（Buck）转换器
• 电机驱动半桥/全桥模块
• 车载电源管理与负载开关
• 高频开关电源及电池管理系统

四、封装与热设计建议

PowerDI5060-8 封装在单位体积下提供良好散热路径，但器件的实际持续电流能力受 PCB 散热、铜箔面积和冷却方式限制。建议：

• 在器件底部和散热引脚区域使用大面积铜箔并配合多通孔过孔增强散热；
• 缩短高电流走线，增大宽铜带截面积以减少导线压降；
• 驱动侧建议使用适度栅阻（例如数欧姆至十几欧姆）以控制开关过冲与振铃；
• 若用于并联或高脉冲场合，参考厂商 datasheet 的并联指南及热阻参数，注意匹配驱动与温升。

五、使用注意事项

• 器件为静电敏感元件，生产与装配请做好 ESD 防护；
• 阈值电压 2.3V 表明不能仅用极低门槛电压驱动来保证低 RDS(on)，推荐稳健的 10V 驱动以达到规格化导通阻抗；
• Pd、Id 等参数随结温变化明显，实际设计时以 datasheet 的温度曲线和 SOA（安全操作区域）为准。

六、结语

DMTH45M5LPDWQ-13 将低导通电阻、较小栅极电荷与宽温工作特性集成于紧凑的 PowerDI5060-8 封装内，是面向汽车与工业高效电源转换的实用选择。对于高频、高效率和高可靠性的设计，建议结合厂商完整 datasheet 进行热设计与驱动规划，以发挥器件最佳性能。