STD80N240K6 产品概述

一、产品简介

STD80N240K6 是意法半导体（ST）的一款高压 N 沟道功率 MOSFET，额定漏-源电压 800V，适用于中高压开关应用。器件采用 TO-252 (DPAK) 表面贴装封装，集成了适合工业级温度范围的可靠特性，适合在功率变换、电源管理与功率因数校正等场景中使用。

二、主要电气参数

• 类型：N 沟道 MOSFET
• Vdss（漏-源电压）：800V
• 连续漏极电流 Id：16A（器件额定，实际使用请参考散热与热设计）
• 导通电阻 RDS(on)：197mΩ @ Vgs=10V, Id=7A
• 阈值电压 Vgs(th)：3V（典型）
• 总栅电荷 Qg：25.9nC @ Vgs=10V（用于估算驱动能力与开关损耗）
• 输入电容 Ciss：1.35nF @ 400V（影响开关速度与驱动需求）
• 功耗 Pd：105W（在规范测试条件下）
• 工作温度：-55℃ ~ +150℃

三、热与封装特性

TO-252 (DPAK) 表面贴装便于自动化生产，但散热依赖 PCB 铜箔与过孔设计。105W 表明封装在良好散热条件下具有较高耗散能力；实际使用应按结温、环境温度与铜箔面积进行降额设计，确保长期可靠性。

四、门极驱动与开关性能

总栅电荷与输入电容属于中等水平，开关速度与开关损耗在快/慢之间权衡。建议使用能提供足够峰值电流的栅极驱动器并根据 EMI 与电压应力选择合适的栅阻（Rg）。为降低开关应力，可采用斜坡控制或能量回收措施。

五、典型应用与选型建议

适用于：高压开关电源（SMPS）、PFC 前端、逆变器开关、工业电源与电池充电设备。选型时注意：

• 在高温或长负载场景应考虑 RDS(on) 随温度上升的影响并留足余量；
• 若需并联使用，确保栅驱同步与良好热均衡；
• 电路设计中为开关过渡阶段留出钳位与吸收元件以防重复性应力。

六、PCB 布局与散热注意事项

• 在 DPAK 下方使用大面积铜箔并配合多个过孔连接基层散热层；
• 缩短漏极与源极的走线，减小回流环路面积以降低 EMI；
• 栅极走线尽量短且加串联阻尼，避免寄生振荡。

STD80N240K6 在 800V 级别中提供实用的电气特性与便捷的封装形式，是需要在有限封装空间内实现高压开关的常用选择。