MURS3GB-TP 产品概述

一、产品概况

MURS3GB-TP 是 MCC（美微科）推出的一款 3A、400V 超快恢复整流二极管，封装为 DO-214AA（SMB）。该器件专为要求较低反向恢复时间与中等电流整流能力的开关电源和功率转换应用设计，兼顾开关损耗与开通压降的折衷，适用于工业与消费类电源模块。

二、主要特性

• 正向压降 Vf = 0.92V（在 If = 3A 条件下），导通损耗可控，适合中等功率整流。
• 直流反向耐压 Vr = 400V，适合较高母线电压场合（例如 200~350VAC 整流后），具良好耐压裕度。
• 平均整流电流（If）3A，非重复峰值浪涌 Ifsm = 100A，保证启动或浪涌工况下的短时承载能力。
• 反向电流 Ir = 5μA（Vr = 400V），漏电小，有利于降低空载损耗与温升。
• 反向恢复时间 Trr = 25ns，属“Super Fast”级别，可显著降低开关频率下的开关损耗与电磁干扰（EMI）。

三、典型应用

• 开关电源（SMPS）整流与续流二极管
• 电机驱动与逆变器辅助整流
• 功率适配器、LED 驱动电源
• UPS、充电器及工业电源模块中的中高速整流环节

四、封装与热管理

器件采用 DO-214AA（SMB）封装，适合波峰/回流焊或手工装配。封装有利于散热，工作结温范围宽（-55°C 至 +150°C），但在实际应用中仍需关注结-壳与结-环境热阻。对于持续 3A 工作或高脉冲密度场合，建议在 PCB 设计时增加铜箔面积与散热过孔，必要时配合散热片或热垫降低结温以提升可靠性与寿命。

五、选型与使用建议

• 若系统开关频率较高（>50kHz）且对反向恢复有较高要求，MURS3GB-TP 的 25ns Trr 能有效减小损耗与振铃，但若追求更低 Vf 或更小 Ir，可考虑 Schottky 或超结 MOSFET 等替代器件。
• 在设计浪涌保护时，参考 Ifsm = 100A 的短时能力，注意脉冲宽度与重复频率对器件应力的影响。
• PCB布局上应尽量缩短信号回路和电感性环路，使用适当的阻尼和 RC 吸收网络抑制恢复过程中的过冲与 EMI。

六、可靠性与注意事项

• 避免长期在靠近额定极限的结温与反向电压下工作，以免加速老化。
• 存储与焊接过程遵循厂商的湿敏与热循环规范，防止封装受潮导致焊接缺陷或长期可靠性问题。

七、小结

MURS3GB-TP 是一款在中功率开关场合具有良好性价比的超快恢复整流二极管，凭借 400V 耐压、3A 持续电流、0.92V 正向压降与 25ns 恢复时间，适用于多种工业与消费电源设计。正确的热设计与布局能充分发挥其性能，提升系统效率与稳定性。若需替代或并联使用，请参照厂商完整数据手册进行详细评估与实验验证。