CBM321609U601T 产品概述

一、概述

CBM321609U601T 为风华（FH）推出的一款 1206（3216 公制）封装单通道磁珠，专为高频干扰抑制设计。该器件在 100MHz 时具有 600Ω 的阻抗，典型直流电阻（DCR）约 85mΩ，额定工作电流 2.2A，工作温度范围 -55℃ 至 +125℃，阻抗公差 ±25%。体积小、阻抗高、适用于对电源或信号线高频噪声要求严格的场合。

二、主要性能参数

• 型号：CBM321609U601T
• 品牌：FH（风华）
• 封装：1206（3216）贴片
• 阻抗：600Ω @ 100MHz（典型）
• 直流电阻（DCR）：约 85mΩ（典型）
• 阻抗公差：±25%
• 额定电流：2.2A
• 工作温度：-55℃ ～ +125℃
• 通道数：1

三、特点与优势

• 高频抑制能力强：在 100MHz 附近具有高达 600Ω 的阻抗，可有效吸收并衰减射频噪声。
• 低直流损耗：典型 DCR ≈ 85mΩ，压降小，适合电源线或较大电流路径使用。
• 小型化封装：1206 型号占板面积小，有利于高密度布局。
• 宽温度与可靠性：-55℃ 到 +125℃ 的工作范围，适应工业级环境。

四、典型应用场景

• 手机、平板等移动设备的电源线滤波
• 通信设备与基站的射频噪声抑制
• 工业控制与汽车电子（需确认车规资格）
• 高速数字接口与板级电源滤波，配合去耦电容使用效果更佳

五、使用建议与注意事项

• 布局建议：磁珠应尽量靠近干扰源或入板处放置，短引线以提升抑制效率。
• 电流与发热：按额定电流 2.2A 设计；采用典型 DCR 计算，压降 ≈ 2.2A×0.085Ω ≈ 0.187V，功耗 ≈ I^2R ≈ 0.41W，长期工作时需关注温升并适当留有余量或并联处理。
• 阻抗公差 ±25%，实际抑制效果会随频率、温度和工艺略有变化，关键设计请索取阻抗曲线（impedance vs. frequency）。
• 焊接与清洗：遵循厂家推荐的回流曲线与清洗工艺，避免过高温度和腐蚀性溶剂影响性能。
• 认证与可靠性：若用于特殊行业（如汽车、医疗），请向供应商确认相应的认证与寿命测试结果。

六、典型电气计算示例

• 直流压降（典型）：V = I × R = 2.2A × 0.085Ω ≈ 0.187V
• 直流功耗（典型）：P = I^2 × R = (2.2A)^2 × 0.085Ω ≈ 0.41W
• 最坏情況（若按 100mΩ 计）：V ≈ 0.22V，P ≈ 0.484W
  建议在长期连续工作时考虑适当降额或并联器件降低 DCR 与发热。

如需更详细的阻抗频率曲线、包装信息或可靠性测试报告，可联系供应商或提供样品编号向风华索取完整数据手册与应用指导。