24FC256T-I/SN 产品概述

一、产品简介

24FC256T-I/SN 是 MICROCHIP（美国微芯）出品的一款 256Kbit I2C 串行 EEPROM，采用 SOIC-8 封装，面向需要非易失性存储的嵌入式与工业应用。器件支持最高 1MHz 的 I2C 时钟频率，工作电压范围宽（1.7V ~ 5.5V），便于在多种电源方案中使用。

二、主要规格

• 存储容量：256Kbit（即 32K × 8 位）
• 接口类型：I2C（2 线总线），兼容标准 I2C 协议
• 时钟频率（fc）：最高 1MHz
• 工作电压：1.7V ~ 5.5V
• 写周期时间（Tw）：典型 5ms
• 数据保留（TDR）：200 年
• 写周期寿命：1,000,000 次
• 工作温度：-40℃ ~ +85℃
• 封装：SOIC-8

三、功能与特性

• 支持高达 1MHz 的 I2C 通讯速率，适合对速度有一定要求的系统。
• 宽电压范围（1.7V~5.5V），可在低功耗与传统 5V 系统间灵活使用。
• 高可靠性：数据保留 200 年与百万次写循环，适用于长期部署与频繁写入场景。
• 标准 SOIC-8 封装，利于表面贴装生产与替换。

四、典型应用

• 嵌入式系统参数与配置存储（如设备校准值、系统配置）。
• 工业控制器与仪表的日志与校准数据保存。
• 消费类与便携设备中的序列号、运行统计信息保存。
• 需要长期保存与高耐写次数的应用场景。

五、设计注意事项

• I2C 总线需外部上拉电阻，建议按系统总线电压与速率选择合适阻值以保证信号完整性。
• 写入操作为页面或字节写，写周期 Tw 约 5ms，设计中需考虑写忙检测（可通过读 ACK 或器件 BUSY 状态判断）。
• 在频繁写入场合建议采取磨损均衡策略以延长寿命并满足 1,000,000 次写周期要求。
• 在上电复位或断电场景中注意完成正在进行的写周期以避免数据损坏。

六、封装与订购信息

• 封装：SOIC-8（便于传统 PCB 设计和自动贴装）。
• 型号示例：24FC256T-I/SN（请以 MICROCHIP 官方数据表与订购代码为准）。

七、可靠性与长期保存

该器件具备行业级的数据保存与写入耐久指标：TDR 约 200 年、写周期寿命达 1,000,000 次，适合对数据长期可靠性有严格要求的设备。实际可靠性表现应结合工作温度、写入频率及系统电气环境综合评估。

如需完整电气特性、时序图及寄存器/操作细节，请参考 MICROCHIP 官方数据手册以获得精确规范与参考电路。