APM4953 产品概述

一、产品简介

APM4953 是由 ElecSuper（静芯微）推出的双通道 P 沟道功率 MOSFET，封装为 SOP-8，适用于中低压高侧开关与电源管理场合。器件额定漏源电压为 30V，单管连续漏极电流 5.8A，适合在有限空间内提供可靠的高侧开关能力。

二、主要性能参数

• 类型：P 沟道 MOSFET（双通道，2 个）
• Vdss（漏源电压）：30V
• Id（连续漏极电流）：5.8A（单通道）
• RDS(on)（导通电阻）：40mΩ @ Vgs=-10V，55mΩ @ Vgs=-4.5V
• Pd（耗散功率）：3.2W（SOP-8 封装条件下）
• Vgs(th)（阈值电压）：1.5V @ 250µA
• Qg（总栅极电荷）：9.2nC @ 10V
• Ciss/Coss/Crss（输入/输出/反向传输电容）：520pF / 100pF / 65pF
• 工作温度范围：-55°C ~ +150°C

三、典型应用场景

APM4953 适用于以下应用：

• 高侧负载开关（如背光、马达小功率驱动）
• 电源路径管理与电池切换电路
• 便携设备的反接/负载保护
• 同类功率场合中要求低导通损耗与快速开关的场合

四、驱动与开关特性建议

器件在 Vgs≈-10V 时可达到最低 RDS(on)，在 Vgs≈-4.5V 下仍具备较低阻抗，适合受限栅驱动电压的系统。总栅极电荷 Qg=9.2nC 与 Ciss=520pF 表明在高频切换时门极驱动功率及开关损耗不可忽视；驱动器或 MCU 输出驱动能力需匹配，适当串联门极电阻（常见 10–47Ω）能抑制振铃并限制瞬态电流。高侧使用时，源接 Vin，漏接负载，栅极由拉高/拉低电路控制：拉高接近源电位为关，拉低实现导通。

五、PCB 布局与热管理

SOP-8 封装在有限功耗（Pd=3.2W）下要求良好散热通道。建议：

• 在 PCB 上为源、漏引脚预留足够铜箔面积并使用短、宽的走线；
• 将功率回路的寄生电感降到最低，门极到驱动器的路径要短且带地回流；
• 对于连续大电流应用，考虑并联通道或在底层增加散热铜铺。

六、选型与并联注意事项

双通道器件可单独使用或并联以降低等效 RDS(on)，并联时注意匹配布局以保证电流均匀分配。器件在高温下 RDS(on) 会升高，选型时需留有热裕量。关于最大允许 Vgs 与更详尽的 SOA（安全工作区）与浪涌能力，请参见厂家完整数据手册以获得应用级验证数据。

总结：APM4953 在 30V 级别场合提供了低阻抗、适中的开关特性与紧凑 SOP-8 封装，适合高侧开关和电源管理应用。根据系统驱动电压与开关频率合理配置门极驱动与 PCB 散热设计，可发挥其最佳性能。