WNM2021-3/TR-ES 产品概述

一、产品概述

WNM2021-3/TR-ES 是静芯微（ElecSuper）推出的一款低压小功率N沟增强型MOSFET，额定漏源电压20V，适合便携设备及低压电源管理场合的功率开关与保护用途。器件采用SOT-323超小封装，结合低栅极电荷与中等导通电阻，使其在体积受限、功耗要求严格的应用中具有良好性价比。

二、主要特性

• 类型：N沟道增强型 MOSFET（小信号/功率开关）
• 最大漏源电压：20V（Vdss）
• 导通电阻（典型/典型测试条件）：180mΩ @ VGS=4.5V；230mΩ @ VGS=2.5V（厂家测试中也可见155mΩ@4.5V于500mA条件下的典型值）
• 连续漏极电流：800mA（额定值）
• 峰值/示例条件：描述中给出500mA/900mA相关测试参考，应按实际散热与PCB条件评估
• 耗散功率：600mW（Pd）
• 阈值电压：VGS(th)=650mV @ ID=250µA
• 栅极电荷：Qg ≈ 1nC @ VGS=4.5V（低栅驱动能量需求）
• 电容：Ciss≈60pF，Coss≈22pF，Crss≈12pF
• 封装：SOT-323（超小型表贴）

三、电气性能要点

• 逻辑电平兼容：在2.5V栅压下能导通（RDS(on)≈230mΩ），4.5V下导通更好（≈180mΩ），适合直接由单节锂电或低压MCU驱动。
• 低栅极电荷（1nC）意味着开关损耗和驱动能耗较小，适合频率不很高的开关场合（例如电源管理开/关、低频PWM）。
• 低寄生电容（Coss/Crss）有利于开关过渡过程，减小 Miller 效应，便于快速切换。

四、典型应用与参考电路

• 电池供电设备的负载开关、负载隔离与软启动。
• 直流-直流转换器中的低侧开关或同步整流（需评估RDS(on)和热能力）。
• 充电管理、USB电源选择切换、反向电流保护（配合合适外围电路）。
  参考电路要点：低侧开关采用共源接法；高侧应用需配合升压驱动或使用栅极电平转换。建议在栅极串联10–100Ω限流电阻、并接100k下拉防止浮动；必要时在漏端并联RC缓冲或TVS进行浪涌保护。

五、封装与热管理

SOT-323为超小封装，热阻较大，器件的耗散功率（600mW）及持续电流应基于PCB铜箔散热能力评估。布局建议：

• 在MOSFET底部与漏脚周围使用较大铜面积或热泄露过孔以提高散热；
• 缩短电源回路走线，减少阻抗和发热集中；
• 当工作电流接近额定值时，注意测量结温并留有安全余量。

六、使用注意事项与订购信息

• 推荐在实际应用中对RDS(on)、结温和功率损耗做预实验，特别是在高频或脉冲大电流场合。
• 避免门极长期承受超过极限电压，注意ESD与浪涌保护。
• 型号与来源：WNM2021-3/TR-ES，品牌：ElecSuper（静芯微），封装：SOT-323。订购时请注明完整型号与封装批次以确保一致性。

本产品适合追求体积小、驱动功耗低且工作电压≤20V的中低功率开关场合。若需更详细的电气特性曲线、推荐PCB模板或可靠性测试报告，可提供进一步资料以便设计验证。