ESDA6V8AV6-6/TR-ES 产品概述

一、产品简介

ESDA6V8AV6-6/TR-ES 是 ElecSuper（静芯微）推出的一款四路单向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，专为低电压高速接口和敏感芯片管脚提供EFT/ESD/浪涌保护。器件采用 SOT-563 小封装，体积小、寄生电容低，适合移动设备、消费电子和工业控制等对空间与信号完整性要求较高的场景。

二、主要参数

• 极性：单向（单极性、向地钳位）
• 反向截止电压 Vrwm：5 V
• 击穿电压（典型）：6 V
• 钳位电压（Ipp 条件）：15 V
• 峰值脉冲电流 Ipp：4 A（8/20 μs）
• 峰值脉冲功率 Ppp：60 W（8/20 μs）
• 反向漏电流 Ir：1 μA
• 结电容 Cj：0.6 pF（低电容，利于高速信号）
• 通道数：4 路
• 工作温度：-40 ℃ ~ +125 ℃
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（静电放电）、IEC 61000-4-4（电快速瞬变/EFT）、IEC 61000-4-5（浪涌）
• 封装：SOT-563

三、典型应用

• USB 2.0/串行总线及其他 5 V 及以下接口的 ESD 保护
• 手机、平板、便携设备的外部信号口保护
• 摄像头模组、触控/按键接口、传感器信号线保护
• 工业控制、通信设备的接口抗扰度提升

四、性能亮点

• 低结电容（约 0.6 pF），对高速差分与单端信号影响小，适用于对信号完整性要求高的线路；
• 单向结构对地钳位，有效保护低压侧逻辑电路；
• 8/20 μs 条件下 Ipp 达 4 A，Ppp 可达 60 W，能吸收常见的脉冲浪涌与 ESD 能量；
• 低漏电流（1 μA）在待机与低功耗设计中功耗影响小。

五、封装与布局建议

• SOT-563 小封装利于密集布线，但焊盘设计需按照厂商推荐封装尺寸留足焊盘与焊膏，保证可靠焊接；
• 建议将器件尽量靠近受保护的接插件或外部接口放置，以缩短未受保护导线长度；
• 为提高保护效果，器件地端应直接回流至系统地（GND）或屏蔽地，避免通过长路径回流；
• 对高速差分信号，注意对称布局并最小化并联电容差异。

六、合规性与可靠性

该器件通过 IEC 61000-4-2/-4/-5 等抗干扰标准测试，适用于需要满足国际电磁兼容规范的产品设计。工作温度范围宽（-40 ~ +125 ℃），适用于工业级应用。

七、选型与使用注意事项

• 当系统工作电压接近或高于 Vrwm（5 V）时，需评估器件耐受性与钳位安全余量；
• 若应用中存在更高能量的浪涌或长期反复冲击，建议核算总能量并考虑并联更高能量器件或配合熔断/限流组件；
• 对差分高速接口（如 USB3.0 及以上）需核查更严格的电容与带宽需求，本器件更适合 USB2.0 及类似速率场景；
• 生产中注意静电防护和贴装温度曲线，确保焊接质量与器件可靠性。

总结：ESDA6V8AV6-6/TR-ES 以其四路单向保护、低电容、SOT-563 小封装和符合 IEC 抗扰标准的特性，适合对空间与信号完整性有较高要求的 5 V 及以下接口保护场合。选型时应结合系统电压、信号速率与能量预算进行综合评估。