T2N7002AK-ES 产品概述

一、主要参数

T2N7002AK-ES 是一颗小信号 N 沟道增强型 MOSFET，适用于低功耗开关与驱动应用。主要参数如下：

• 漏源耐压 Vdss：60 V
• 连续漏极电流 Id：300 mA（受封装散热限制）
• 导通电阻 RDS(on)：1.85 Ω @ Vgs = 10 V
• 功耗 Pd：350 mW（封装热阻相关，实际需考虑 PCB 散热）
• 阈值电压 Vgs(th)：1.6 V @ ID = 250 μA
• 栅极电荷 Qg：1.8 nC @ Vg = 4.5 V
• 输入电容 Ciss：28 pF；反向传输电容 Crss：4 pF；输出电容 Coss：11 pF
• 类型：N 沟道；封装：SOT-23；品牌：ElecSuper（静芯微）

二、特性与优势

• 高耐压（60 V），适合小功率高压开关场合。
• 低栅极电荷（Qg 1.8 nC），在 3.3V/5V 驱动下开关损耗较小，适合 MCU 或逻辑电平直接驱动。
• 小封装 SOT-23，便于 PCB 高密度布局与自动化贴装。
• 阈值电压适中，容易在低电流应用中实现可靠导通与关断。

三、典型应用

• 微控制器驱动的小负载开关（LED、继电器驱动器前级、传感器供电开/关）
• 电平移位与信号缓冲、负载下拉或限流保护
• 小电流电源管理、便携设备的功率路径切换
• 高压小电流开关场合（例如 24V 系统的低功耗控制）

四、使用注意事项

• 标称 Id 为 300 mA，但 SOT-23 封装热阻较大，若长时间流过接近额定电流需做好 PCB 散热或降低工作电流以避免过热。
• RDS(on) 标注为 10V 条件下的值，在 3.3V 或 4.5V 驱动时导通电阻会明显增大，应按实际测量或保守估计用于功耗计算。
• 开关瞬态中 Crss（米勒电容）会影响开关速度与电压应力，布局应尽量缩短栅到漏/源回路的寄生电感与路径。
• ESD 与浪涌保护视具体电路而定，必要时在栅极或漏极并联 TVS 或 RC 抑制网络。

五、封装与可靠性

• SOT-23 小型封装，适合表面贴装加工。
• 推荐在布局时保证良好的散热铜面积与短回流路径，以利热量扩散。
• 适合符合消费类与工业类一般工作环境，若用于严苛环境应参考厂方完整数据手册和可靠性测试报告。

六、典型电路与选型建议

• 若用于 3.3V 逻辑开关低电阻负载，建议验证导通电阻与功耗；对连续电流在几十毫安以上的场合，优先考虑更低 RDS(on) 或更高 Pd 的器件。
• 作为开关元件示例：低侧开关把源接地，漏接负载至电源；栅极直接由 MCU 驱动（GPIO）并在栅与地间加 100 kΩ 下拉确保上电态稳定。
• 若需频繁高速开关，可根据 Qg 与 Ciss 计算驱动电流并加装合适驱动器或阻尼器以降低 EMI。

总结：T2N7002AK-ES 以其 60V 耐压、低栅极电荷和 SOT-23 小体积特点，适合各类低功耗、高压小电流的开关与驱动场景。设计时应综合考虑驱动电压、实际导通电阻与封装散热限制以确保长期可靠工作。