CD4081BE 四路两输入与门（HGSEMI 华冠版）产品概述

一、产品简介

CD4081BE 是标准 4000 系列 CMOS 器件中的四路两输入与门（quad 2-input AND）。本器件在宽电源电压范围内工作（5V–15V），静态电流低，输出摆幅接近电源轨，适合低功耗逻辑与信号组合场合。HGSEMI（华冠）生产的 CD4081BE 采用 DIP-14 封装，便于面包板和通孔电路板使用。

二、关键技术参数

• 逻辑类型：与门（AND），每路 2 输入，共 4 路
• 工作电压：5V ～ 15V
• 静态电流 Iq：典型 1 μA（无负载时）
• 输入电平（典型阈值，随 VDD 变化）：
  • VDD = 5V：VIH ≈ 3.5V，VIL ≈ 1.5V
  • VDD = 10V：VIH ≈ 7V，VIL ≈ 3V
  • VDD = 15V：VIH ≈ 11V，VIL ≈ 4V
• 输出电平（开集电近似）：
  • VDD = 5V：VOH ≈ 4.95V
  • VDD = 10V：VOH ≈ 9.95V
  • VDD = 15V：VOH ≈ 14.95V
• 输出低电平：VOL ≈ 50 mV（典型，取决于负载）
• 传播延迟 tpd：约 20 ns（VDD = 15V，CL = 50 pF）
• 工作温度：-40 ℃ ～ +85 ℃
• 封装：DIP-14

注：上列阈值为典型值，实际门限与工艺、温度和负载有关，设计时应参考完整规格书中的最小/最大限值。

三、引脚与封装（常见映射）

DIP-14 引脚排列（建议在设计前以实际数据手册为准）：

• Pin1：1A，Pin2：1B，Pin3：1Y
• Pin4：2A，Pin5：2B，Pin6：2Y
• Pin7：VSS（GND）
• Pin8：3Y，Pin9：3B，Pin10：3A
• Pin11：4Y，Pin12：4B，Pin13：4A
• Pin14：VDD（电源）

四、典型电气特性说明

• 输入阈值随 VDD 近似成比例变化（VIH ≈ 0.7·VDD，VIL ≈ 0.3·VDD）；因此在不同电源下推断可靠逻辑电平时需按相应 VDD 数值计算。
• 输出能够将 VOH 拉近 VDD，VOL 很低，适合驱动高阻负载或进一步 CMOS 级联。
• 传播延迟与 VDD 和负载电容显著相关：电压越高、负载越轻，开关越快；在 5V 条件下延迟会比 15V 情况明显增加。
• 静态电流小，但当输入悬空或处于模拟阈值区时电流可能增加，建议输入不悬空。

五、典型应用场景

• 组合逻辑单元：地址解码、使能逻辑、条件判断等。
• 信号门控：在电源允许范围内作为开关或与非门组合实现复杂逻辑。
• 低功耗设计：便于电池供电的数字子系统（注意速度与电压权衡）。
• 教学与原型：DIP 封装适合面包板实验与教学演示。

六、工程建议与注意事项

• 电源旁路：在 VDD 与 VSS 之间并联 0.01–0.1 μF 陶瓷电容，减小瞬态和噪声。
• 输入勿悬空：所有输入应接明确电平或通过上拉/下拉电阻稳定，避免静态电流异常或不确定输出。
• 负载与驱动能力：驱动大电容或多级 TTL/CMOS 时需评估扇出或并联缓冲器。
• 温度与容差：工作环境极端时参考完整数据手册的温度特性与最大/最小参数。
• ESD 与稳态保护：遵循常规静电防护与电源升降速率管理，避免器件误触发或损坏。

七、与其他逻辑电平兼容性

在 5V 工作时，输入阈值（VIH ≈ 3.5V）对传统 TTL 兼容性需注意：TTL 输出高电平若不足 3.5V，可能无法被完全识别为高电平，必要时加上电平转换或上拉。总体而言，CD4081BE 适合与其他 CMOS 器件级联，但与老旧 TTL 器件接口时需验证电平裕度。

结语：CD4081BE（HGSEMI）为通用、低功耗的四路 2 输入与门器件，适用范围广，使用时请以厂家完整数据手册为准并注意输入/输出电平与电源条件的匹配。若需更精确的最小/最大参数或波形实例，我可帮助检索并解析对应数据手册条目。