HSH80P10 产品概述

一、产品简介

HSH80P10 是华朔（HUASHUO）推出的一款高耐压、大电流 P 沟道功率 MOSFET，单只器件，封装为 TO-263（D2PAK）。器件工作结温范围宽（-55℃ 至 +150℃），适用于对开关损耗和导通损耗有严格要求的高压高功率场合。

二、主要性能参数

• 漏源耐压 Vdss：100V
• 连续漏极电流 Id：80A
• 最大耗散功率 Pd：210W
• 导通电阻 Rds(on)：20mΩ （Vgs=10V，测试电流 40A 条件）
• 阈值电压 Vgs(th)：约 3V（典型值，取绝对值）
• 总栅极电荷 Qg：180nC（Vgs=10V）
• 输入电容 Ciss：11.66nF（@50V）
• 反向传输电容 Crss：50pF（@30V）
• 数量：1个 P 沟道

三、核心特性与优势

• 低导通电阻（20mΩ@10V）带来较低的导通损耗，适合高电流场合。
• 100V 耐压适配较高电压系统的高边开关与保护场景。
• 较大的耗散功率（210W）及宽温度范围提高了可靠性与使用灵活性。
• 相对较高的栅极电荷（180nC）提示在快速开关时需要合适的驱动能力以控制切换损耗与电磁干扰。

四、封装与热管理

TO-263（D2PAK）封装便于表面贴装与散热处理，但在高功率应用中需注意散热设计：

• 在 PCB 上配合大面积散热铜箔和散热过孔（vias）；
• 必要时借助散热片或底部导热胶以降低结温；
• 评估实际应用中的平均与峰值功耗，确保结温不超过规范上限。

五、典型应用场景

• 高侧开关与负载断开（高压电源管理）
• 逆变器与电机驱动中的保护与旁路电路
• 电源管理、UPS、太阳能逆变器的高压回路
• 需要较大电流且耐压要求高的开关场合

六、驱动与电路建议

• 由于为 P 沟道器件，门极驱动需考虑 Vgs 极性与驱动电压范围；典型导通在 Vgs=10V 条件下测得低 Rds(on)。
• 较大的 Qg（180nC）要求使用具备足够驱动电流的驱动器或在门极串联限流电阻以平衡开关速度与振铃。
• 在开关节点加入阻尼网络或 RC 吸收，配合 TVS 对抗浪涌与开关过冲。

七、可靠性与使用注意

• 器件对静电敏感，建议在防静电环境中操作并采取 ESD 保护措施。
• 在高温、高应力环境下应评估长期热循环与热斑效应对寿命的影响。
• 设计时留有足够的安全裕度（电压、温度和电流）以避免过应力工作。

如需完整数据手册、典型波形或封装图纸，请联系华朔授权分销或技术支持，获取详细电气特性曲线和应用参考电路。