型号：
IPA65R280C6XKSA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-220-3
批次：24+
包装：管装
重量：-
其他：
-
描述：通孔-N-通道-650V-13.8A（Tc）-32W（Tc）-TO-220-整包
库存数量
库存：
500
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
6.86
500+
6.6
产品参数
属性参数值
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3.5V @ 440µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）45nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
安装类型通孔
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）950pF @ 100V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）280 毫欧 @ 4.4A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13.8A（Tc）
漏源电压（Vdss）650V
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
功率耗散（最大值）32W（Tc）
IPA65R280C6XKSA1 产品概述
一、概述
IPA65R280C6XKSA1 是英飞凌推出的一款通孔安装的 N 沟道功率 MOSFET，适用于高压、高可靠性开关电源与功率转换场合。器件采用金属氧化物半导体工艺，结合 TO-220-3 封装，便于手工焊接与散热器安装。
二、关键参数
- 漏源耐压（Vdss）：650V
- 连续漏极电流（Id，Tc）：13.8A
- 导通电阻（Rds(on)）：最大 280 mΩ @ Id=4.4A，Vgs=10V
- 驱动电压用于标称 Rds(on)：10V
- 栅阈电压（Vgs(th)）：最大 3.5V @ Id=440µA
- 栅极电荷（Qg）：最大 45nC @ Vgs=10V
- 输入电容（Ciss）：最大 950pF @ Vds=100V
- 允许栅极电压：±20V
- 功率耗散（Tc）：最大 32W
- 工作结温（TJ）：-55°C ~ 150°C
三、性能亮点
- 高耐压 650V，适合中高压转换与功率因数校正(PFC)前端。
- 在 10V 驱动下具备较低的导通电阻，简化驱动器设计且降低导通损耗。
- 中等栅极电荷（45nC）在驱动能量与开关损耗之间取得平衡，利于常见驱动方案。
- TO-220 通孔封装利于散热器固定与热性能提升，便于维修与样机验证。
四、典型应用
- 开关电源（SMPS）主开关或同步整流（适当考虑电流与损耗）
- 功率因数校正（PFC）级别器件
- 工业电源与变频器低功率段
- 通用高压开关场合
五、封装与散热
TO-220-3 通孔封装，便于与金属散热片直接接触提升散热效率。器件的关键额定值（Id 与功耗）均以器件基板温度 (Tc) 为参考，实际布局中应保证良好散热路径以发挥额定性能。
六、使用建议
- 建议在设计时按 10V 栅压进行驱动匹配，并考虑栅极钳位以防 ±20V 以上冲击。
- 注意在高频切换场合评估开关损耗与栅极驱动能量，必要时优化驱动阻抗或采用驱动缓冲。
- 参考英飞凌数据手册进行热阻与散热设计，确保结温不超过额定范围。