IRLHM620TRPBF 产品概述

一、概要

IRLHM620TRPBF 是英飞凌推出的一款低压大电流 N 沟道场效应管（MOSFET），额定漏源电压（Vdss）20V，设计用于低压、高效率电源与负载开关场合。器件封装为 PQFN-8（3.1 × 3.1 mm），单片量产，热阻与封装热路径需配合 PCB 设计优化。

二、主要电气参数

• 漏源电压 Vdss：20V
• 最大额定电流（典型应用条件）：26A
• 导通电阻 RDS(on)：2.5 mΩ @ Vgs = 4.5V, Id = 20A
• 耗散功率 Pd：2.7W（参考环境与散热条件）
• 栅阈电压 Vgs(th)：约 0.5V
• 总栅极电荷 Qg：52 nC @ Vgs = 10V
• 输入电容 Ciss：≈ 3.62 nF
• 反向传输电容 Crss：≈ 620 pF @ 10V
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃

三、产品特点与优势

• 超低 RDS(on)：在 4.5V 驱动条件下仅 2.5 mΩ，有利于降低导通损耗，适合高电流、低压差场合。
• 低栅极门槛且响应快：Vgs(th) 约 0.5V，适配低压门极驱动器；但 Qg 较大，门极驱动需考虑驱动能力与开关速度。
• 紧凑 PQFN 封装：占板面积小，适用于空间受限的电源模块，但需要合理铺铜及过孔以保证散热。
• 适度的 Pd 与工作温度范围：适合受控散热的工业与消费类应用。

四、典型应用场景

• 同步整流与降压转换器（buck converters）中的低侧或高效能开关。
• 负载开关、静态开/关控制和电池管理系统。
• 近端电源分配、点对点电源模块以及小电流电机驱动（低压直流电机）。
• 要求低导通损耗与高效率的便携与板载电源系统。

五、设计与应用注意事项

• 栅极驱动：由于 Qg = 52 nC（10V），驱动器需提供较高瞬时电流以实现快速开关，避免长的开关过渡增加损耗。
• 开关损耗与频率：在高频应用时，尽管 RDS(on) 低，但 Qg 与 Ciss 较大会增加开关损耗，应在效率与开关速度间权衡，必要时采用软切换或合理的死区控制。
• 散热布局：PQFN 热垫应与 PCB 大面积散铜/过孔连接以扩散热量，器件 Pd（2.7W）为参考值，实际功耗与结温依赖 PCB 散热设计。
• 过压与反向恢复保护：20V 的 Vdss 适合 12V 系统，但对更高电压或尖峰冲击需外加 TVS 或 RC 抑制。
• 焊接与可靠性：按 PQFN 推荐的回流焊工艺和焊盘设计进行装配，注意湿敏等级与储存条件以保证可靠性。

六、选型建议

若目标为 12V 或低压点对点供电系统，且对导通损耗要求严格（需低 milliohm 级 RDS(on)），IRLHM620TRPBF 是高性价比选择。若系统电压超过 20V 或存在大幅过压/浪涌，建议选用更高 Vdss 余量器件或增加前端保护。

总结：IRLHM620TRPBF 以其超低导通电阻与紧凑封装，适合用于需要高效率、低导通损耗的低压电源与负载开关场景；设计时需重点考虑驱动能力与散热布局以发挥器件最佳性能。