DI2010S_R2_00001 产品概述

一、主要参数概览

• 型号：DI2010S_R2_00001（PANJIT / 强茂）
• 类型：单相整流桥（满桥）
• 额定整流电流：2A（连续）
• 正向压降：Vf = 1.1V @ 2A
• 直流反向耐压：Vr = 1kV
• 反向电流：Ir = 5μA @ 1kV
• 非重复峰值浪涌电流：Ifsm = 120A（单次冲击）
• 工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SDIP-4（插装/通孔）

二、产品特性与优势

• 低正向压降（1.1V@2A）可显著降低整流损耗与发热，提升系统效率。
• 高耐压（1kV）适合中高电压整流场合，可直接用于高压二次侧或特殊工业电源。
• 低反向漏电（5μA@1kV）有利于待机能耗与高阻抗回路的稳定性。
• 120A 的非重复峰值浪涌能力，能承受启动或短时冲击电流，增强系统鲁棒性。
• 宽温工作范围与可靠封装适应苛刻环境和长期运行需求。

三、典型应用场景

• 开关电源高压整流（高压二次侧）
• 工业控制电源、仪器仪表的单相整流模块
• 高压充电器与电源适配器（需1kV耐压场合）
• 含瞬态浪涌的电源系统（可配合抑制元件应对冲击）

四、设计与使用建议

• 散热与版图：尽量采用较宽的走线和大铜箔散热区域，必要时并联多层过孔以减少结温上升。长期2A负载下应考虑热阻和环境温度的降额。
• 浪涌管理：Ifsm为单次峰值，若存在重复冲击或大能量浪涌，应增加限流器（NTC）、缓启动电路或浪涌吸收器。
• 反向泄露注意：高温下反向电流会增加，精密或高阻抗回路建议预留裕量或选型更低漏电件。
• 焊接与存储：遵循通孔元件的焊接规范，避免超温焊接和长期潮湿存放导致性能退化。
• 安全与防护：1kV 级器件在布局时注意爬电距与间隙要求，板级绝缘与保护措施必不可少。

五、选型参考要点

• 若系统对正向损耗极为敏感，可考虑低Vf的肖特基二极管，但其耐压通常低于1kV；若需要更高耐压应选择更高Vr等级的整流桥。
• 对于频繁高能浪涌环境，建议选用更大Ifsm或并联多只器件，并配合浪涌抑制。
• PANJIT（强茂）品牌具有较好的批量一致性和可靠性，适用于工业级应用。

总结：DI2010S_R2_00001 是一款面向中高压、要求低损耗与良好浪涌能力的单相整流桥，适合工业电源和高压整流场合，合理的热管理与浪涌保护能显著提高其长期可靠性。