型号:

TLP293(BL,E(T

品牌:TOSHIBA(东芝)
封装:SO-4-175mil
批次:两年内
包装:-
重量:-
其他:
-
TLP293(BL,E(T 产品实物图片
TLP293(BL,E(T 一小时发货
描述:Photocoupler, Tr, 2.3mm, DC,
库存数量
库存:
2440
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:175
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.36
175+
1.23
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.25V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)3.75kV
直流反向耐压(Vr)5V
负载电压80V
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@2.4mA,8mA
上升时间(tr)2us@2mA,100Ω
下降时间3us
工作温度-55℃~+125℃
电流传输比(CTR)最小值50%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值600%
总功耗(Pd)200mW
正向电流(If)50mA

TLP293(BL、E)产品概述

一、产品简介

TLP293 是东芝(TOSHIBA)推出的一款小型光耦合器,输入为直流 LED,输出为光电三极管。该器件采用 SO-4(175 mil)封装,极限隔离电压可达 3.75 kVrms,适合在低速数字隔离和信号传输场合替代直接电气连接,实现良好的安全与抗干扰性能。器件总体设计面向直流控制与开关信号,体积小、驱动简单、可靠性高。

二、主要电气参数

  • 输入(LED)正向压降 Vf:约 1.25 V(典型)
  • 正向电流 If(最大):50 mA
  • 直流反向耐压 Vr:5 V
  • 输出类型:光电三极管(NPN)
  • 集电极最大电流(IC):约 50 mA(典型应用限制)
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):0.3 V(测量条件示例:IF=2.4 mA、IC=8 mA)
  • 电流传输比 CTR:最小 50%,最大/饱和值可达 600%(随 If、温度、批次有较大变化)
  • 上升/下降时间:tr ≈ 2 μs(IF=2 mA、RL=100 Ω),tf ≈ 3 μs
  • 负载耐压:最大 80 V
  • 隔离耐压:Vrms = 3.75 kV
  • 总功耗 Pd:200 mW
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +125 ℃

三、典型应用场景

  • 单片机与高电压电路之间的逻辑隔离:用于 MCU 的输入/输出接口保护与电位隔离。
  • 电源反馈与开关电源保护:实现初次侧与次级侧的信号传递与安全隔离。
  • 工业控制信号隔离:传感器、继电器驱动前的低速隔离。
  • 家电与通信设备中需要基本隔离的状态检测与控制电路。

四、设计与使用注意事项

  1. 输入驱动:根据供电电压与期望 If 计算限流电阻 R = (Vin - Vf) / If,避免长时间大电流(接近 50 mA)工作以免加速老化。
  2. CTR 波动:CTR 范围较宽,在系统设计中应按最小 CTR 设计(如 50%)以保证在最差条件下仍能满足输出电流或逻辑电平需求。若需稳定传输比,可考虑配合恒流驱动或外部放大。
  3. 速度与负载:该器件为低速光耦,上升/下降时间为微秒级,不适合高频或精密定时信号。负载电阻与负载电压对速度有影响,增大集电极负载会降低开关速度。
  4. 功耗与散热:总功耗 200 mW,应注意封装功耗限制与环境温度,必要时在电路布局上保持足够散热空间并遵循厂商温升/降额曲线。
  5. 绝缘与布线:利用其 3.75 kVrms 隔离能力时,仍需保证 PCB 上爬电距离与绝缘材料符合系统安全要求。
  6. 反向保护:LED 反向耐压仅 5 V,电路中应避免出现较大反向电压,必要时并联反向保护二极管。

五、封装与机械信息

  • 封装形式:SO-4,间距 175 mil,适合贴片或波峰/手工焊接的混合安装方式。
  • 引脚排列便于与常见双列插座或 PCB 布局兼容,适合批量生产与自动化贴装。

六、选型建议

如需在低速、低功耗且对隔离等级有中高要求的控制/监测电路中实现信号隔离,TLP293 是经济且可靠的选择。设计时按最小 CTR 与最大环境温度做裕量,并注意 If 与 Pd 的长期应力,以保证长期稳定性。对于对速度或传输比一致性要求更高的场合,建议通过电路补偿或选择专用高速/线性光耦型号。

若需我提供典型驱动电路、限流电阻计算实例或 PCB 布线建议,可继续告诉应用电压与负载条件。