型号:

SST26VF080A-104I/SN

品牌:MICROCHIP(美国微芯)
封装:SOIC-8
批次:23+
包装:管装
重量:-
其他:
-
SST26VF080A-104I/SN 产品实物图片
SST26VF080A-104I/SN 一小时发货
描述:闪存-存储器-IC-8Mb-(1M-x-8)-SPI-四-I-O-104MHz-8-SOIC
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最小包:100
商品单价
梯度内地(含税)
1+
7.5
100+
7.15
产品参数
属性参数值
接口类型SPI
存储容量8Mbit
时钟频率(fc)104MHz
工作电压2.3V~3.6V
待机电流15uA
擦写寿命100000次
页写入时间(Tpp)1.5ms
数据保留 - TDR(年)100年
工作温度-40℃~+85℃

SST26VF080A-104I/SN 产品概述

一、产品简介

SST26VF080A-104I/SN 是 MICROCHIP(美国微芯)系列的 8Mbit 串行闪存,组织为 1M x 8,支持 SPI 和 Quad I/O 模式,最高工作时钟频率为 104MHz。器件工作电压范围为 2.3V 至 3.6V,工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃,封装为标准 SOIC-8,适用于需要高速、低功耗、耐久存储的嵌入式应用。

二、关键参数

  • 存储容量:8Mbit(1M x 8)
  • 接口类型:SPI,支持四线 Quad I/O,104MHz 时钟
  • 工作电压:2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40℃ ~ +85℃
  • 页写入时间(Tpp):1.5ms
  • 擦写寿命:100,000 次(典型)
  • 数据保留(TDR):100 年
  • 待机电流:15 μA(典型)
  • 封装:SOIC-8

三、主要性能与特点

  • 高速读写:支持最高 104MHz 的 SPI/Quad I/O 传输,满足快速代码和数据读取需求。
  • 低电压工作:2.3V 起始供电,便于与 3.3V 和 2.5V 系统兼容。
  • 快速页写:单页写入时间仅 1.5ms,提高写入效率,利于频繁更新的小块数据。
  • 低待机功耗:15μA 待机电流有助于功耗敏感设计和电池供电设备延长待机时间。

四、可靠性与寿命

  • 擦写循环高耐久性:支持 100,000 次擦写,适合需要频繁更新的固件与配置存储。
  • 长期数据保持:100 年的数据保留能力,适合长期存档与配置文件保障。
  • 宽温度范围保证工业级环境下的稳定性(-40℃ 至 +85℃)。

五、典型应用场景

  • 嵌入式系统固件与引导代码存储(替代并行ROM/EPROM)
  • 工业控制器、通信设备的配置与参数保存
  • 汽车电子(非安全关键区域)、测量仪器、医疗设备的程序与数据存储
  • 消费类产品的固件更新与日志保存、SPI 扩展存储需求

六、封装与物料信息

  • 封装形式:SOIC-8,便于自动贴装与回流焊工艺。
  • 品牌:MICROCHIP(美国微芯),适配主流 PCB 布局与制造流程。
  • 型号:SST26VF080A-104I/SN(请在设计和采购时核对完整料号与交付状态)。

七、设计注意事项与建议

  • 电源滤波与去耦:在 VCC 与 GND 旁放置 0.1μF 及 1μF 去耦电容,靠近器件电源引脚布置。
  • 时序与驱动:104MHz 工作下须注意 PCB 布线长度与终端匹配,避免信号完整性问题。
  • 擦写管理:对频繁写入区域采用 wear-leveling 或日志机制以延长寿命。
  • 上电/掉电保护:在可能存在突发掉电的应用中,采用电源监控与写保护机制,防止擦写/编程中断导致数据损坏。

本概述基于器件关键规格,用户在设计与采购时应参考 MICROCHIP 的正式数据手册以获取完整电气特性、指令集、时序图与封装图纸。