SM4840PRL 产品概述

一、产品简介

SM4840PRL 是美国源芯（SPS）推出的一款双通道 N 沟道场效应管（Dual N‑MOSFET），封装为 SOP‑8。每通道额定漏源电压为 40V，连续漏极电流 6A，适用于中小功率开关和负载驱动场合。单器件内置两颗 N 沟道晶体管，便于板级布局和成组应用。

二、主要参数

• 数量：2 个 N 沟道 MOSFET（同封装双通道）
• Vdss：40 V
• 连续漏极电流 Id：6 A（单通道）
• 导通电阻 RDS(on)：26.6 mΩ @ Vgs=10 V, Id=6 A
• 最大耗散功率 Pd：2 W
• 阈值电压 Vgs(th)：约 1.5 V
• 总栅极电荷 Qg：4.3 nC @ Vgs=10 V
• 输入电容 Ciss：629 pF @ Vds=15 V
• 反向传输电容 Crss：51 pF @ Vds=15 V
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SOP‑8
• 品牌：SPS（美国源芯）

三、主要特性与优势

• 低 RDS(on)（26.6 mΩ@10V）在 40V 等级中表现优异，有利于减小导通损耗与发热；
• 较小的栅极电荷（4.3 nC）在 10V 驱动下切换损耗可控，适合频率中等的开关应用；
• 双通道 SOP‑8 封装便于成对驱动、实现推挽或半桥配置，同时利于 PCB 布局和节省板面积；
• 宽温工作范围和良好的耐受性，适合工业级环境。

四、典型应用场景

• 开关电源（低压 DC‑DC 变换器）次级侧功率开关；
• 电池保护与电源管理中的断电开关与负载开关；
• 小型电机驱动、继电器/灯驱动和负载开关控制；
• 家电与工业控制板卡中需要 40V 等级单元的场合。

五、驱动与 PCB 热设计建议

• 为达到标称 RDS(on)，建议 Vgs 采用 10 V 驱动；若采用逻辑电平驱动注意 RDS(on) 会上升；
• 由于 Qg=4.3 nC，驱动器需提供瞬态电流以实现快速开关，防止开关损耗与热量累积；
• SOP‑8 封装散热能力有限，建议在 PCB 上配备充足的铜箔、散热焊盘和必要的通孔散热；大电流应用应考虑外部散热或更低 RDS(on) 的封装替代；
• 缩短栅极回路的布局，增加去耦电容，使用阻尼或 RC 闭合以减少振铃和 EMI。

六、可靠性与使用注意

• 工作温度覆盖工业级需求（-55~150 ℃），长期工作应考虑结温与散热裕度；
• 注意静电防护与在制程中的 ESD 管理，栅极对静电敏感；
• 在并联使用或组成桥式结构时，需匹配 RDS(on) 与门电容，以保证均流与同步切换。

七、选型建议与替代

若系统要求更低的导通损耗或更高的功率耗散，应考虑更低 RDS(on) 或更大功耗封装（如 SO‑8 PowerPAK、DPAK 等）。在要求逻辑电平驱动（5V/3.3V）且低阻抗的场景，需验证在低 Vgs 下的 RDS(on) 性能。

八、订购信息

型号：SM4840PRL
品牌：SPS（美国源芯）
封装：SOP‑8，双 N 沟道 MOSFET（2 个通道）

以上为 SM4840PRL 的概要介绍与应用建议，便于电路设计与系统选型。需要更详细的电气特性曲线或封装机械图纸，可参考厂商规格书或联系供应商获取完整资料。