V1FM15-M3/H 产品概述

一、概述

V1FM15-M3/H 是 VISHAY（威世）出品的一款高压肖特基整流二极管，封装为 DO-219AB（商用标识 SMF）。该元件针对需要在高反向电压下仍保持较小反向漏电与稳定整流能力的应用场景设计，适合功率转换与保护电路中作为整流、续流与反向保护器件。

二、主要电气参数

• 正向压降 (Vf)：1.22 V @ 1 A
• 直流反向耐压 (Vr)：150 V
• 额定整流电流：1 A（连续）
• 反向漏电流 (Ir)：50 μA @ 150 V
• 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：30 A（单次冲击）
• 工作结温范围：-40 ℃ ~ +175 ℃

以上指标表明，在 150 V 级别的肖特基类别中，V1FM15-M3/H 在高压耐受与浪涌能力方面具有竞争力；正向压降在高压肖特基中为典型值，工作时应考虑相应的功耗与散热设计。

三、特性与优势

• 高压耐受：150 V 反向耐压适合中高压整流与保护应用。
• 浪涌能力强：30 A 非重复峰值浪涌电流可以承受较大开机或短路瞬态冲击。
• 低温漂与宽工作温度：可在 -40 ℃ 至 +175 ℃ 的结温范围内工作，适应高温环境。
• 可靠的反向漏电特性：在额定反向电压下，漏电仅 50 μA（典型测试条件），利于提高系统待机效率。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）次级整流、输出滤波整流。
• DC-DC 转换器中的保护与续流二极管。
• 电池充电与电源管理系统，作为反向保护或反并联整流。
• 工业电源、家电和通信设备中的高压整流与浪涌缓冲。
• 脉冲或瞬态电流较大的场合利用其高峰值浪涌能力。

五、热管理与可靠性建议

在工作电流 1 A 时，元件正向功耗约为 P = Vf × I ≈ 1.22 W；长时间工作需合理考虑封装的散热路径与 PCB 热设计。推荐：

• 增大焊盘铜箔面积并采用多层散热过孔（via）以导出热量。
• 对于连续高负载场合，进行结温评估并适当留余量，避免接近最高结温 175 ℃。
• 注意反向漏电随温度上升呈指数增长，实际电路设计中要考虑温度对泄漏电流和功耗的影响。

六、封装与装配注意事项

DO-219AB（SMF）为标准功率整流封装，便于自动贴装与手工焊接。装配时应参照制造商的焊接与回流工艺指南，避免超过元件的最高结温并控制加热速率与冷却速率，以保证焊点可靠性和器件寿命。

七、选型与替代

在需要更低正向压降的场合，可在同类产品中寻找低 Vf 型号；若需要更高连续电流能力或更低漏电，可考虑更大封装或并联方案。选型时应综合考量耐压、正向损耗、漏电、浪涌能力与热设计预算。

八、采购信息

器件型号：V1FM15-M3/H
品牌：VISHAY（威世）
封装：DO-219AB（SMF）
在批量采购与可靠性验证前，建议参考 VISHAY 官方器件数据手册（Datasheet）以获取完整的电气特性曲线、温度相关特性、机械尺寸图与推荐焊接规范。

如需基于该器件的具体电路示例、热仿真建议或替换元件清单，我可以继续提供更详细的设计支持。