LBC857ALT1G 产品概述

一、产品简介

LBC857ALT1G 是乐山无线电（LRC）推出的一款小信号 PNP 三极管，采用 SOT-23 小封装，面向低功耗和中等电压场合。器件设计用于小电流放大与开关应用，兼顾低漏电流与较高的频率特性，适合便携式电子、信号链路及通用控制电路。

二、主要参数一览

• 晶体管类型：PNP
• 集电极电流 Ic：100 mA（最大）
• 集—射击穿电压 Vceo：45 V
• 最大耗散功率 Pd：225 mW
• 直流电流增益 hFE：125（条件：Ic=2.0 mA, VCE=5.0 V）
• 特征频率 fT：100 MHz
• 集电极截止电流 Icbo：4 µA
• 集—射饱和电压 VCE(sat)：650 mV（典型）
• 工作温度范围：-55 ℃ 至 +150 ℃
• 射—基击穿电压 Vebo：5 V
• 封装：SOT-23

三、电气特性说明

LBC857ALT1G 在低电流工作点具有较高的直流增益（hFE≈125），便于在小信号放大器和偏置网络中实现较大增益而不需复杂偏置。fT≈100 MHz 表明在几十兆赫兹频段内仍能保持有效放大，适合高频小信号处理。Icbo=4 µA 的低漏电有利于在高阻抗或休眠状态下降低误差。需要注意 Vebo 仅为 5 V，切勿在基极-发射极间施加反向过压。

四、典型应用场景

• 高侧或低侧小电流开关与驱动（精密控制或电源管理）
• 小信号放大器、前置放大、射极跟随器（PNP 特性常用于对称电路的负半周或高端侧）
• 模拟开关、推挽级互补配置（与 NPN 互补器件配对使用）
• 通信前端、滤波与驱动电路中需要较高 fT 的场合

五、封装与热特性

SOT-23 封装体积小、适合自动贴装，但热阻较大，额定耗散功率仅 225 mW，连续工作时需注意功耗限制与 PCB 散热。设计时应考虑功率降额、增加铜箔面积或使用热过孔以提高散热能力，避免长时间在接近 Pd 的条件下工作。

六、选型与使用注意事项

• 不要超过 Ic=100 mA；对瞬态冲击也应留有余量。
• Vceo=45 V 提供较好的耐压裕度，但器件仍需避免遭受反向基极击穿（Vebo=5 V）。
• 在要求低 VCE(sat) 的开关场合，留意 650 mV 的饱和电压可能影响驱动头或逻辑电平。
• 高频应用时关注布局和寄生电容，短走线、合理旁路能发挥 fT 优势。
• 低温和高温边界（-55 ℃ 至 +150 ℃）使其适合工业级应用，但长时间高温会加速老化，应进行热管理。

七、小结

LBC857ALT1G 是一款面向低功耗、小信号放大与中等电压需求的 PNP 三极管，特点为高增益、较低漏电和良好的频率响应。凭借 SOT-23 小封装与工业温度范围，非常适合空间与成本受限的消费电子、仪表和通信终端应用。但在选型与电路设计时需重视功耗与基极反向耐压限制，以确保可靠运行。