ESDA6V1-5M6 产品概述

一、产品简介

ESDA6V1-5M6 是 ST（意法半导体）推出的一款五路单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，用于对敏感信号线和接口进行静电放电（ESD）及浪涌保护。器件以 Vrwm = 3V 为标称反向工作电压，适配 3.3V 及更低电压体系的信号线防护需求。小尺寸 UQFN-6（1.45 × 1.00 mm）封装，适合空间受限的移动终端与便携设备设计。

二、主要技术参数

• 钳位电压（Vc，典型）：6.1 V
• 击穿电压（Vbr）：7.2 V
• 反向截止电压（Vrwm）：3 V
• 峰值脉冲功率（Ppp）：100 W @ 8/20 μs
• 峰值脉冲电流（Ipp）：8 A @ 8/20 μs
• 反向漏电流（Ir）：500 nA
• 结电容（Cj）：70 pF（典型）
• 通道数：5 路（单向）
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +125 ℃
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2 ESD 要求
• 封装：UQFN-6（1.45 × 1.00 mm）

三、工作原理与极性

该器件为单向 TVS，正常工作时处于高阻态；当瞬态过压发生（如 ESD 或脉冲浪涌）并超过器件击穿或钳位电压时，器件迅速导通，将能量导入地线，从而限制被保护节点电压，保护后级电路元件。单向结构适用于以地为参考的直流信号线保护。

四、封装与 PCB 布局建议

UQFN-6 超小封装利于节省 PCB 面积并减小寄生电感。设计时建议：

• 将器件靠近需保护的外部接口放置，最小化器件与受保护节点间走线长度；
• 为地引脚提供低阻抗的回流路径，使用多层地平面或加宽地线；
• 对高速信号注意结电容对信号完整性的影响，必要时评估时域反射和带宽限制；
• 尽量避免在保护器件与被保护器件之间放置过多过孔或长走线。

五、典型应用场景

适用于通信与消费类电子中多路 3.3V 或更低电压信号线的浪涌/ESD 保护，如移动终端外露接口、摄像头/传感器接口、低电压控制总线、多路数据线保护等。

六、可靠性与合规性

工作温度范围宽（-40~+125℃），适应工业级环境。器件通过 IEC 61000-4-2 ESD 等级测试，能承受常见接触式与空气放电事件。设计时仍需按系统级防护规定（如接地、滤波、屏蔽）综合考量。

七、选型建议与注意事项

• 若系统工作电压为 3.3V 或更低且需多路保护，ESDA6V1-5M6 为合适选择；但不建议用于 5V 或更高直流接口（Vrwm = 3V）。
• 对高速差分信号或对电容敏感的线路，应评估 70 pF 结电容对信号传输的影响；必要时选择低电容型号。
• 在功率或浪涌能量要求高的应用中，核实 100 W@8/20 μs 与 8 A 峰值电流是否满足系统需求。

总结：ESDA6V1-5M6 以其五路单片集成、小体积封装与良好的瞬态吸收能力，适合对空间与成本敏感、需对多路 3V 级信号进行 ESD/浪涌保护的电子产品。