STTH803G-TR 产品概述

一、产品简介

STTH803G-TR 是意法半导体（ST）推出的一款独立式高压整流二极管，封装为 D2PAK（表面贴装功率封装）。该器件定位为通用高压整流，适用于需要较大整流电流和耐压能力的电源应用，兼顾低正向压降与低反向漏电流的平衡表现。

二、主要电气参数

• 正向压降（Vf）：1.25 V @ IF = 8 A
• 直流反向耐压（Vr）：300 V
• 整流电流（IF）：8 A（直流）
• 反向电流（Ir）：20 μA @ Vr = 300 V
• 配置：独立式二极管（单管）
  以上参数是器件在特定测试条件下的典型或最大值，实际设计应考虑温度、频率与热场效应的影响。

三、关键特点

• 低正向压降：在较大电流下保持较低的导通损耗，有助于提高效率并减少发热。
• 低反向泄漏：在高压下反向漏电小，适合高压整流和阻断要求严格的场景。
• 功率级封装：D2PAK 提供良好的散热途径和机械强度，便于波峰/回流焊接与自动贴片生产。

四、封装与热管理

D2PAK 封装便于在 PCB 上通过大面积焊盘及铜箔来进行散热。推荐在 PCB 设计时为器件的散热底面和引脚区域布置充足的铜箔（多层电源平面连接），并配合过孔通到背面散热层以降低结温。布局时应保证热源分布均匀，避免邻近热源集中导致局部过热。

五、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）二次整流
• 功率因数校正（PFC）电路
• 适配器与充电器高压整流
• 工业电源、逆变器与电机驱动的整流与保护回路

六、选型与使用注意事项

• 整机设计中应根据最大工作电流与散热条件做足额定余量，避免长期工作在极限条件下。
• 在高频开关环境中，需关注器件的恢复特性与寄生电感对整个拓扑的影响，必要时配合缓冲电路或选择更适合高速整流的器件。
• 版图设计应尽量缩短高电流回路的走线并增大焊盘面积，以降低电阻和局部发热。
• 安装时遵循制造商的焊接温度曲线与回流工艺，避免过热造成封装或芯片损伤。

七、可靠性与采购信息

STTH803G-TR 为 ST 系列标准产品，适合批量生产与工业级应用。采购时注意选择正规渠道，确认器件批次与管脚标识一致，并参照官方数据手册获取完整的参数表、热阻、包装（卷带）及焊接指南以保证可靠应用。

如需进一步的电气模型、热阻数据或在特定拓扑下的仿真参数，可参考 ST 官方数据手册或提供具体电路与使用条件以便更精确的选型与布局建议。