SI2328DS-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SI2328DS-T1-GE3 是 VISHAY（威世）出品的一款 N 沟道增强型 MOSFET，SOT-23 三引脚封装，额定耐压 100V，面向中低电流、高电压开关场合。器件体积小、成本低，适合空间受限且需较高耐压的电子设计。

二、主要参数

• 漏源电压 (Vdss)：100V
• 连续漏极电流 (Id)：1.5A（器件额定，受封装热阻限制）
• 导通电阻 (RDS(on))：250mΩ @ Vgs=10V, Id=1.5A
• 耗散功率 (Pd)：1.25W（SOT-23 条件下）
• 阈值电压 (Vgs(th))：4V
• 栅极电荷量 (Qg)：约 5nC @ Vgs=10V
• 输入电容 (Ciss)：约 250pF @ 10V
• 反向传输电容 (Crss)：约 150pF @ 10V
• 工作温度：-55℃ ~ +150℃

三、性能特点

• 高耐压：100V 额定适合开关高压侧或电源管理中间节点。
• 中等导通电阻：250mΩ 在 10V 驱动下可实现较低导通损耗，适合 1A 级别负载。
• 中等栅极电荷与电容：Qg=5nC、Ciss/Crss 值表明在开关频率不太高的场合有良好平衡，驱动功率与开关损耗可控。
• 紧凑封装：SOT-23 适合密集布板，但散热能力受限，需注意 PCB 散热设计。

四、典型应用场景

• 高压侧低电流开关与负载控制（如工控、电机驱动的辅助回路）。
• DC-DC 变换器中的开关或同步整流（低功率方案）。
• 电池管理、逆变器保护电路与一般功率开关场合。
• 便携设备与小型电源模块的保护与控制。

五、选型与使用建议

• 由于 Vgs(th)≈4V，器件并非严格逻辑电平型，建议在 10V 驱动下使用以达到标称 RDS(on)。若驱动电压受限，应验证在目标 Vgs 下的导通电阻与损耗。
• SOT-23 封装耗散功率较小（Pd≈1.25W），在实际应用中连续电流应由 PCB 热阻和环境温度决定，必要时加大铜箔或散热片。
• 开关感性负载时加并联缓冲或续流二极管以抑制 Crss 造成的电压尖峰；使用合适的栅极电阻以控制 dv/dt 和振铃。
• 确认最大 Vgs 额定（典型 ±20V）并避免超过以免损坏栅极绝缘层。

本器件适合对耐压有较高要求但电流等级不大的应用场合，结合合理的驱动与散热设计可获得稳定可靠的工作表现。