YJQ40G10AQ 产品概述

一、概述

YJQ40G10AQ 是扬杰（YANGJIE）推出的一款高压耐受、低导通损耗的 N 沟道功率 MOSFET。器件承受漏源电压高达 100V，适用于对开关速度、导通电阻和热耗散有较高要求的电源管理与电机驱动场景。器件工作温度范围宽 (-55℃ 至 +150℃)，可靠性适合工业级和汽车级周边设计（在合适的外延和封装条件下）。

二、主要性能参数

• 类型：N 沟道功率 MOSFET（单颗）
• 漏源电压 Vdss：100V
• 连续漏极电流 Id：40A
• 导通电阻 RDS(on)：18.5mΩ @ Vgs=10V
• 阈值电压 Vgs(th)：2.5V @ Id=250µA
• 总栅极电荷 Qg：16nC @ Vgs=10V
• 输入电容 Ciss：1.3nF @ 25V
• 输出电容 Coss：750pF
• 反向传输电容 Crss：21pF @ 25V
• 功耗 Pd：43W
• 封装：DFN3333-8L
• 工作温度：-55℃ ～ +150℃

三、封装与热管理

DFN3333-8L 小尺寸封装有利于高密度布局和低电感回路设计，但热阻相对较大，建议在 PCB 设计上增设大铜面及散热过孔以提升热传导能力。在高电流长期工作场景，应评估结温并保证在器件最大结温限值之下运行，以免影响寿命和可靠性。

四、典型应用

• 开关电源（半桥、同步整流）
• 直流电机驱动与无刷电机控制
• 电池管理与逆变器前端开关
• 白色家电、工业驱动与通用功率开关

五、设计建议与注意事项

• 为实现标称 RDS(on)，驱动电压建议为 Vgs=10V；驱动器选型应能提供足够的栅极电流以克服 Qg=16nC 带来的开关损耗。
• 在高速开关应用中，Ciss / Crss 的影响会体现在开关过渡和反冲电压上，应配合合适的阻尼与缓冲网络（如门极电阻、吸收网络）来抑制振铃与过压。
• PCB 布局尽量缩短高电流回路路径，增强电流承载能力并减少寄生电感。
• 在并联使用时注意电流分享与热平衡，必要时配合低电阻以及对称布局设计。

六、可靠性与选型提示

该器件温度范围与功耗指标适配多种工业场景，但实际应用中应基于系统热仿真和效率评估决定是否需要额外散热措施。选型时同时关注驱动电压、频率与负载特性，平衡导通损耗与开关损耗以优化系统总体能效。