型号:

RCLAMP0502B

品牌:DOWO(东沃)
封装:SOT-523
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
RCLAMP0502B 产品实物图片
RCLAMP0502B 一小时发货
描述:瞬态抑制二极管 双线超低电容TVS二极管 SOT523 Ppp=70W VC=13V Ipp=4A VRWM=5V
库存数量
库存:
6173
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.131
3000+
0.116
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压13V
峰值脉冲电流(Ipp)4A
峰值脉冲功率(Ppp)70W
击穿电压6V
反向电流(Ir)500nA
通道数双路
工作温度-55℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容0.6pF;0.3pF

RCLAMP0502B 产品概述

一、产品简介

RCLAMP0502B 是 DOWO(东沃)推出的一款双路超低电容瞬态抑制二极管(TVS),采用 SOT-523 超小封装,专为高速数据线和精密接口的静电放电(ESD)与脉冲浪涌保护设计。器件为单向双通道结构,既能在有限空间内实现有效防护,又不会对信号完整性造成明显影响。

二、主要技术参数

  • 钳位电压(VC):13 V
  • 工作温度:-55 ℃ ~ +125 ℃
  • 击穿电压(Vbr):6 V
  • 反向截止电压(Vrwm):5 V(适合 5 V 系统)
  • 峰值脉冲功率(Ppp):70 W(10/1000 μs 或典型脉冲条件)
  • 峰值脉冲电流(Ipp):4 A
  • 反向漏电流(Ir):≤ 500 nA
  • 结电容(Cj):0.6 pF;0.3 pF(双通道典型值)
  • 通道数:双路(双通道独立保护)
  • 极性:单向
  • 类型:ESD 抑制器
  • 封装:SOT-523
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2 / IEC 61000-4-4 / IEC 61000-4-5 标准

三、关键特性与优势

  • 极低结电容:0.3–0.6 pF 的超低电容设计,最大限度降低对高速信号的负载,适合 USB、HDMI、LVDS、SATA 等高速接口。
  • 小尺寸封装:SOT-523 封装占板面积小,便于高密度布局与移动设备应用。
  • 高能量吸收能力:峰值脉冲功率 70 W 与 4 A 峰值脉冲电流,能够可靠钳制常见的 ESD 与浪涌事件。
  • 低漏电流:≤ 500 nA 的低漏电设计,适用电池供电及低功耗系统。

四、典型应用场景

  • 手机、平板等移动终端的外部接口保护(USB、耳机、充电口)。
  • 通信设备与网络接口(Ethernet PHY 侧、SFP 插槽保护)。
  • 工业控制、医疗设备中对信号线路的精密保护。
  • 摄像头模块、显示接口(MIPI、HDMI)等对信号完整性要求高的场合。

五、封装与布局建议

  • 建议将器件尽量靠近被保护的接口或连接器放置,缩短走线长度以降低感抗。
  • 对地回流路径应尽可能短且低阻,必要时在器件附近布置旁通地 vias。
  • 对差分高速线,请注意匹配差分阻抗,避免在保护器处产生阻抗突变。
  • SOT-523 封装焊盘设计需遵循厂家推荐,确保可靠焊接与热性能。

六、使用与选型建议

  • 若系统工作电压为 5 V 或以下,Vrwm = 5 V 的 RCLAMP0502B 是合适选择,可在正常工作下避免误触发。
  • 对极高速差分信号优先考虑结电容 0.3 pF 的通道组合;若单端接口对地保护,可采用 0.6 pF 通道。
  • 对于需要更高能量吸收或更低钳位电压的应用,可在系统级上与串联阻抗或其他保护元件配合使用。

七、可靠性与合规性

RCLAMP0502B 满足 IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)与 IEC 61000-4-5(浪涌)相关要求,工作温度范围宽(-55 ℃ ~ +125 ℃),适应工业级环境。推荐在可靠性验证中结合实际系统做 ESD/浪涌注入测试,以确认 PCB 布局与接地策略的有效性。

如需器件的详细电气特性曲线、封装尺寸图和 PCB 焊盘建议,请提供联系信息或直接索取 DOWO 的产品技术手册与样片评估资料。