型号:

SMAJ6.0A

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SMA(DO-214AC)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SMAJ6.0A 产品实物图片
SMAJ6.0A 一小时发货
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) SMAJ6.0A
库存数量
库存:
4586
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.166
5000+
0.151
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)6V
钳位电压10.3V
峰值脉冲电流(Ipp)38.8A@10/1000us
峰值脉冲功率(Ppp)400W@10/1000us
击穿电压7.37V
反向电流(Ir)100uA
类型TVS

SMAJ6.0A 产品概述

SMAJ6.0A 是一款单向 TVS(瞬态电压抑制器)测保护器件,由 BORN(伯恩半导体)提供,封装为 SMA(DO-214AC)。该器件专为抑制静电放电(ESD)与浪涌(Surge)事件设计,适用于对 5 V 级电源与数据信号线进行有效保护。其关键参数包括反向截止电压 Vrwm = 6 V、击穿电压 Vbr ≈ 7.37 V、钳位电压 Vc = 10.3 V(在规定的脉冲条件下)以及 10/1000 µs 峰值脉冲电流 Ipp = 38.8 A(Ppp = 400 W),反向泄漏电流 Ir ≤ 100 µA(在 Vrwm 条件下)。

一、主要参数与特性

  • 类型:单向 TVS(SMAJ6.0A)
  • 极性:单向(适合有明确极性的直流/电源保护)
  • 反向截止电压 Vrwm:6 V(工作电压)
  • 击穿电压 Vbr:约 7.37 V
  • 钳位电压 Vc:10.3 V(对应 10/1000 µs 浪涌测试)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:38.8 A(10/1000 µs)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:400 W(10/1000 µs)
  • 反向泄漏电流 Ir:≤ 100 µA(在 Vrwm 条件下)
  • 封装:SMA (DO‑214AC)
  • 制造:BORN(伯恩半导体)

这些参数表明 SMAJ6.0A 在典型的 5 V 系统中能够在遭遇工业浪涌或雷击诱发的高能脉冲时提供短时、强有力的夹断保护,同时在正常工作电压下保持较低泄漏。

二、典型应用场景

  • USB、以太网接口和其它 5 V 数字接口的输入/输出保护
  • 工控设备、仪器仪表的电源总线防护
  • 消费电子(路由器、机顶盒、充电器等)对外部接口的浪涌保护
  • 分布式供电与适配器接口(保护电源端口免受瞬态过压) 注:由于 Vrwm 为 6 V,该器件非常适合保护 5 V 系统;不推荐用于高电压或需双向夹位的应用场合。

三、封装与极性说明

SMA(DO-214AC)为常用的表面贴装封装,适合自动贴装与回流焊接。器件为单向 TVS,封装一端通常有标识条(带极性),标记为阴极(带条)端。单向 TVS 建议以如下方式连接:

  • 阴极(带条)接到被保护的正电源线(Vcc)
  • 阳极接地(GND) 这样当发生正向瞬态(高于 Vrwm)时器件进入击穿并将过压迅速钳位至约 Vc。

四、布局与安装建议

  • 尽量将 TVS 器件放置在保护的端口或连接器附近,靠近入线路,减少走线感应电感,降低钳位电压上升。
  • 与地线连接采用短、宽的走线或金属铺铜,减小串联阻抗与热阻,提升散热能力与钳位效率。
  • 对于多层板,建议将 TVS 地端直接焊接到接地平面,避免通过长回流路径。
  • 避免在 TVS 正极或负极附近放置敏感模拟电路或高阻输入,以免瞬态分布影响。
  • 推荐采用符合无铅回流工艺的焊接曲线进行装配,焊接温度与时间遵循器件制造商的回流规范。

五、选型与可靠性注意事项

  • 工作电压匹配:Vrwm(6 V)应大于或等于电路正常工作电压,但不宜过高;对于 5 V 系统,6 V 是常见且合适的选择。
  • 能量承受能力:Ppp = 400 W(10/1000 µs)和 Ipp = 38.8 A 能应对常见的线路浪涌,但若系统可能遭受更高能量冲击(例如直击雷或高能脉冲),应选用能量更高的器件或配合外部限流元件(如保险丝、NTC、阻容网络)使用。
  • 多次浪涌与寿命:TVS 在多次高能冲击下会下降性能或失效,设计时应考虑浪涌事件频率并适当冗余或更换策略。
  • 并联使用:通常不建议并联多个 TVS 以提高功率能力,因为工差会导致不均匀分流。若必须并联,应保证特性匹配并配合限流设计。

六、典型电气行为与测试条件

  • 钳位电压 Vc(10.3 V)通常是在 10/1000 µs 浪涌波形下测得,该波形符合 IEC 61000‑4‑5 规范的常见测试条件之一。不同浪涌波形(e.g. 8/20 µs)下钳位电压会有所差异。
  • 反向泄漏 Ir 在 Vrwm 条件下为 100 µA 量级,低功耗设计需注意此漏电可能对低功耗或精密测量电路造成偏差。

七、供应与包装及质保建议

  • 采购时请确认制造商批号与资料表(Datasheet)一致,并索取测试报告或样片进行验证。
  • 存储与运输应避免潮湿与静电,按 SMD 器件包装与贴装规范处理;使用前若开封卷盘,应遵循干燥箱或回流前烘烤建议(视供应商说明)。

总结:SMAJ6.0A 以其 6 V 工作电压、较低泄漏、400 W 峰值功率与 SMA 封装,提供了面向 5 V 和低压直流系统的高性价比瞬态保护解决方案。正确的布局、匹配与配套限流措施将显著提升整体保护效果与系统可靠性。