PTVS24VS1UR-N 产品概述

一、产品简介

PTVS24VS1UR-N 是 BORN（伯恩半导体）出品的一款单向瞬态抑制二极管（TVS），采用 SOD-123FL 封装，专为 24V 直流系统和接口的瞬态浪涌、静电放电（ESD）及脉冲过电压保护设计。响应速度快，能在极短时间内钳位峰值电压，保护下游电路元件免受损坏。

二、主要性能参数

• 极性：单向
• 反向工作电压 Vrwm：24 V
• 击穿电压：26.7 V
• 钳位电压（Ipp=90A）：45 V
• 峰值脉冲电流 Ipp：90 A
• 峰值脉冲功率 Ppp：4.5 kW
• 反向漏电流 Ir：500 nA
• 结电容 Cj：560 pF
• 通道数：单路
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）、IEC 61000-4-5（浪涌）

三、关键特性与优势

• 高能量吸收能力：4.5 kW 的峰值脉冲功率和 90 A 峰值脉冲电流，能有效处理工业级脉冲能量。
• 低钳位电压：45 V（90 A）钳位保证在高能脉冲下仍能把被保护节点电压限制在安全范围内。
• 低漏电与可控结电容：Ir 仅 500 nA，适合对静态功耗敏感的系统；560 pF 的结电容在电源与较慢信号线路保护中表现良好，但对超高速信号需谨慎评估。

四、典型应用场景

• 24V 工业控制与自动化电源线保护
• 工业以太网端口、通讯接口的浪涌与 ESD 保护（需评估结电容对信号的影响）
• 电源输入端、传感器供电线路及门禁、照明等低速或中速接口保护

五、设计与布局建议

• 尽量将 TVS 放置于连接器或受保护节点的近端，走线最短且宽；焊盘与走线应避免弯折和长引线。
• 对于高能脉冲，建议配合合适的串联阻抗或熔断器，共同分担能量并限制电流。
• 在多层板上可在器件下方或附近增加散热铜箔或过孔以提升热耗散能力。
• 若用于高速信号线路，需评估 560 pF 结电容对信号完整性的影响，必要时选择低容型 TVS。

六、合规与可靠性

该器件通过 IEC 61000-4-2、4-4、4-5 等电磁兼容（EMC）测试等级，适用于需要抗静电、抗电快速瞬变及雷击浪涌能力的工业与商业环境。SOD-123FL 小封装利于自动贴装与批量生产，可靠性符合一般工业应用要求。

七、结论与建议

PTVS24VS1UR-N 面向 24V 及邻近电压等级的电源与接口保护，兼顾高能量吸收与低漏电特性，适合工业控制、电源输入及一般通讯接口的防护应用。在选型时注意结电容对高速信号的影响与布板散热措施，以确保长期稳定运行。