US1M 产品概述

一、产品简介

US1M 是 BORN（伯恩半导体）推出的一款快恢复/高效率二极管，采用 SMA 封装（对应常见的 DO-214AC 贴片封装），面向高压整流与开关应用。器件在 1A 工作电流条件下正向压降约为 1.7V，直流反向耐压可达 1kV，反向漏电流在 1kV 时典型约 10µA，反向恢复时间 Trr 为 75ns，能承受非重复峰值浪涌电流 30A，工作结温范围为 -55℃ 至 +150℃（Tj）。

二、主要电气参数

• 正向压降 (Vf)：1.7V @ 1A
• 直流反向耐压 (Vr)：1000V
• 直流整流电流：1A
• 反向恢复时间 (Trr)：75ns
• 反向漏电流：10µA @ 1kV（典型）
• 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：30A
• 工作结温：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SMA（表面贴装）

三、特点与优势

• 高耐压能力：1000V 反向耐压适合高压整流与阻断应用。
• 快恢复特性：75ns 的反向恢复时间可降低开关损耗和结电荷积累，适合中速开关场合。
• 低反向漏电：在高压条件下仍维持较低的漏电，有利于高压电源和待机功耗控制。
• 紧凑封装：SMA 封装便于自动贴装、节省 PCB 面积，适合批量生产与小型电源模块。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）高压整流与续流二极管
• 高压电源、升压转换器、反激/前端整流
• 工业电源、显示驱动及高压驱动电路
• 作为限幅、钳位或吸收回路中需要高压耐受与中速恢复的元件

五、使用建议与注意事项

• 散热管理：尽管平均整流电流为 1A，长时间工作时需关注 PCB 散热与环境温度，必要时通过铜箔散热或散热器降低结温。
• 开关过渡与 EMI：75ns 的恢复时间属于快恢复级别，但在高速、高频应用仍可能产生开关突变造成 EMI，建议配合 RC 阻尼、斜率控制或吸收网络优化。
• 布局要点：走短、宽的回流和散热铜箔可降低寄生电感与热阻；封装焊盘按厂家推荐尺寸设计以保证可靠焊接。
• 焊接与储存：遵循供应商的回流曲线与湿敏等级（MSL）要求，避免长时间潮湿环境存放并按标准回流工艺进行贴装。

六、封装与选型参考

SMA（DO-214AC）封装便于自动化贴片与回流焊接，适合空间受限的功率模块。若应用要求更低的正向压降或更短的反向恢复时间，可考虑 Schottky 或超快恢复二极管家族；若电流等级或耐浪涌要求更高，应选用更大封装或并联设计。

总结：US1M 在 1A 级别的高压整流与中速开关场合提供了良好的耐压、恢复特性与封装便利性，是高压低至中功率电源与保护回路的实用选择。购买与设计前建议参考 BORN 官方数据手册获取完整的典型曲线与封装尺寸。