IPD036N04LGATMA1 产品概述

一、产品简介

IPD036N04LGATMA1 属于 Infineon OptiMOS™ 3 系列的 N 沟道功率 MOSFET，面向高效率开关电源与电源管理场景。器件为表面贴装型（封装 PG-TO252-3-11 / TO-252, DPAK），卷带（TR）供货，处于有源状态，适合批量自动贴装与回流焊工艺。

二、主要性能指标

• 漏–源电压 Vdss：40 V
• 连续漏极电流 Id：90 A（以晶体管壳温 Tc 计）
• 导通电阻 Rds(on)：3.6 mΩ（最大值，Id=90 A，Vgs=10 V）；同时在 4.5 V 与 10 V 下均有表征，10 V 时导通性能最佳
• 栅极阈值 Vgs(th)：最大 2 V（Id 测试电流 45 µA）
• 最大栅–源电压：±20 V
• 栅极电荷 Qg（最大）：78 nC（Vgs=10 V）
• 输入电容 Ciss（最大）：6300 pF（Vds=20 V）
• 最大功率耗散 Pd：94 W（Tc）
• 工作结温范围：-55 ℃ ~ 175 ℃（TJ）

三、封装与热管理

TO-252 (DPAK) 小型封装带有散热接片，可通过 PCB 散热铜箔与散热层将热量传导至板面和散热体。器件的 94 W Pd 标注基于壳温（Tc），在实际应用中需通过合适的铜箔面积、过孔分布以及焊盘设计来降低结–壳与壳–环境温升，保证在高电流工况下的热稳定性。

四、驱动与开关特性

OptiMOS 3 的设计在导通损耗与开关损耗之间取得平衡。较低的 Rds(on)（3.6 mΩ@10 V）可显著降低导通损耗，但较大的 Qg（78 nC）和 Ciss（6300 pF）意味着在高频切换时需要较强的栅极驱动能力。若使用 4.5 V 驱动，可实现部分逻辑电平兼容，但 Rds(on) 会较 10 V 条件下上升，应根据效率与驱动功率权衡选择驱动电压。

五、典型应用场景

• 同步降压转换器（PC、服务器、通信电源）
• 车载 12 V 电源管理与负载开关（Vdss=40 V 适合短时高压裕度）
• 高效 DC–DC 模块、笔记本及移动设备电源轨切换
• 电机驱动与电源分配开关

六、设计与使用建议

• PCB 布局：最短的漏—源回流路径，宽敞的铜箔与多排过孔用于散热；减小电感以降低开关过冲与 EMI。
• 栅极驱动：配合合理的串联栅阻以抑制振铃；高频应用需评估驱动器的驱动电流以满足 Qg 要求。
• 保护措施：根据系统需求增加 RC 吸收、TVS 或合适的软关断策略，防止电压尖峰和热失控。
• 温度管理：在持续高电流工况下以 Tc 为基准设计散热，考虑热阻与环境散热条件。

七、包装与可靠性

器件以卷带（TR）方式供货，适配自动化贴装生产；工作结温覆盖宽温区间，适应工业级与部分车规级工作环境。实际设计中应参照官方数据手册获取完整的曲线与典型参数，以做精确的热与电性能仿真。