型号:

24LC32AT-E/SN

品牌:MICROCHIP(美国微芯)
封装:SOIC-8
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
-
24LC32AT-E/SN 产品实物图片
24LC32AT-E/SN 一小时发货
描述:EEPROM -40℃~+125℃ 32Kbit I2C 2.5V~5.5V
库存数量
库存:
49
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3300
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.16
3300+
4
产品参数
属性参数值
接口类型I2C
存储容量32Kbit
时钟频率(fc)400kHz
工作电压2.5V~5.5V
写周期时间(Tw)5ms
数据保留 - TDR(年)200年
写周期寿命100万次
工作温度-40℃~+125℃

24LC32AT-E/SN 产品概述

一、产品简介

24LC32AT-E/SN 是 MICROCHIP(美国微芯)推出的一款工业级串行 EEPROM,容量为 32Kbit(4096 字节),采用标准 I²C 接口(支持最高 400kHz),工作电压范围宽(2.5V ~ 5.5V),工作温度范围达 -40℃ ~ +125℃,并提供 SOIC-8 封装,便于在各类 PCB 布局中使用。该器件适用于对非易失性存储可靠性要求高的嵌入式系统与工业应用。

二、主要特性

  • 存储容量:32Kbit(4096 字节)
  • 接口类型:I²C(标准模式/快速模式,最高 400kHz)
  • 工作电压:2.5V ~ 5.5V,兼容 3.3V / 5V 系统
  • 写周期时间(Tw):典型 5ms(最大写入完成时间)
  • 数据保持(TDR):典型 200 年
  • 写耐久性:典型 1,000,000 次写周期
  • 工作温度:-40℃ ~ +125℃
  • 封装:SOIC-8(型号后缀 -E/SN)
  • 硬件地址引脚:A0、A1、A2(支持器件地址选择)
  • 写保护:WP 引脚支持整个器件写保护

三、器件结构与引脚(简要)

SOIC-8 常见引脚分配(请以 Datasheet 为准):

  • A0、A1、A2:外部地址选择
  • VSS:地
  • SDA:串行数据
  • SCL:串行时钟
  • WP:写保护输入(有效时禁止写操作)
  • VCC:电源

标准 I²C 控制器即可访问,多个器件可通过地址引脚并联在同一总线上。

四、典型性能与使用建议

  • 页写(Page Write):器件支持页写以提高写入效率。典型页大小为 32 字节,应用中建议按页对齐写操作以缩短总写时间并减少写周期次数。
  • 总线设计:SDA/SCL 线需使用上拉电阻,建议根据总线容量选取合适阻值(如 2.2kΩ ~ 10kΩ);在 VCC 侧增加 0.1µF 电源去耦电容靠近器件 VCC 引脚。
  • 写完成检测:写操作后可采用 ACK polling(轮询应答)来判断内部写入是否完成,避免不必要的延时等待。
  • 寿命与可靠性:器件提供极高的数据保持能力与写耐久性,适合长期存储与高可靠等级应用,但仍建议在高频写入场景下采用磨损均衡或环绕写入策略以延长系统整体寿命。

五、应用场景

适用于工业控制、车载电子(在满足系统认证要求时)、计量仪器、消费电子、物联网终端、配置参数存储及固件小段存储等需要非易失性、低功耗、稳定读写的场合。

六、设计注意事项

  • WP 引脚若不使用应明确拉低或拉高(按 Datasheet 规定),避免悬空导致写保护状态不确定。
  • 在存在强电磁干扰或长线总线环境中,注意信号完整性与地线回路设计,必要时增加滤波或串联阻抗。
  • 多器件并联时确认地址引脚配置,避免地址冲突。
  • 严格按照 Datasheet 的电气特性与时序图设计时序,确保数据可靠性。

七、采购与替代建议

型号 24LC32AT-E/SN 为 MICROCHIP 标准件,SOIC-8 封装便于批量生产。若需要兼容更大容量或不同封装,可参考 MICROCHIP 同系列或其他厂家兼容器件(如 24LC64、24LC16 等)并对比页大小、寻址方式与电压范围。购买时建议向授权分销商索取原厂 Datasheet、可靠性报告及批次合格证。

如需进一步的原理框图、详细时序、寄存器与典型应用电路图,请告知,我可提供针对性说明与电路参考。