C4532X7R1E106KT000N 产品概述

一、产品简介

TDK C4532X7R1E106KT000N 为贴片多层陶瓷电容（MLCC），标称容值 10 µF，公差 ±10%（K），额定电压 25 V，介质类型 X7R，封装为 1812（对应公制尺寸约 4.5 × 3.2 mm）。该器件为高容值、体积小、适用于表面贴装的通用型陶瓷电容，适合电源滤波与旁路应用。

二、主要参数

• 容值：10 µF
• 公差：±10%（K）
• 额定电压：25 V
• 介质：X7R（工作温度范围 -55°C ~ +125°C，按介质规格温度变化范围内允许的电容变化一般为 ±15%）
• 封装：1812（4.5 × 3.2 mm）SMD
• 品牌：TDK

三、特性与优势

• 体积能量密度高：在 1812 尺寸下实现 10 µF 容值，节省 PCB 面积。
• 温度特性稳定：X7R 在常用温度范围内保持较好电容稳定性，适合一般工业与消费类应用。
• 良好高频特性：低等效串联电感（ESL）与低等效串联电阻（ESR），有利于去耦和抑制高频噪声。
• 可靠性高：TDK 制造工艺成熟，焊接一致性和批次稳定性良好。

四、典型应用场景

• 开关电源与 DC-DC 转换器的输入/输出旁路与储能。
• PCB 电源去耦，平滑电压波动。
• 模拟/数字系统的本地去耦与滤波。
• 通信设备、消费电子与工业控制中的一般旁路与电容耦合场合。

五、封装与焊接建议

• 采用推荐焊盘尺寸和回流焊工艺（兼容无铅回流，参考 JEDEC 回流曲线）。
• 焊接过程中避免过度机械应力与温度冲击，避免在回流后对电容施加弯曲应力。
• 存储时注意防潮措施，长期存放建议按制造商的包装与湿敏等级要求处理。

六、选型与注意事项

• X7R 为介质类型，其电容会随温度、偏压（DC bias）及频率发生变化，设计时应考虑工作环境与直流偏压下的有效容值下降。
• 若用于对温漂或高精度电容有严格要求的应用，可考虑温度系数更稳定或有更高额定电压的型号。
• 具体电气参数（如自放电、寿命与详细 DC-bias 曲线）建议查阅 TDK 官方数据手册以获得准确数值。

该型号适合在对体积、成本与通用电性能有平衡要求的设计中使用，是常见的高容量旁路/滤波解决方案。若需更详细的电气特性和焊接图纸，可提供数据手册链接或具体应用电路评估。