TDK C4532X7R1C336MT000N 产品概述

一、产品基本信息

TDK C4532X7R1C336MT000N 为贴片多层陶瓷电容（MLCC），标称容量 33 μF，公差 ±20%，额定电压 16 V。介质类型为 X7R，封装为 1812（即公制 4532，约 4.5 × 3.2 mm），由 TDK 生产，面向高容量去耦与储能应用。

二、关键特性与优势

• 高容量密度：在 4532 封装下实现 33 μF，适合对体积与容量有较高要求的设计。
• X7R 介质：温度范围 -55°C 至 +125°C，温度依赖性良好，适用于一般商用与工业环境。
• 良好电气性能：低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），利于高频去耦与输入滤波。
• 适配贴片工艺：卷带包装，兼容自动贴片与回流焊流程，便于批量生产装配。

三、使用与设计注意事项

• DC 偏置效应：高介电常数陶瓷在施加直流偏置时容量会显著下降，接近额定电压时可能出现容量减少，应在电路仿真与验证时考虑实际工作电压下的有效电容量。
• 温度与频率特性：X7R 虽稳定性较好，但在极端温度或高频条件下容量仍会发生变化，关键电源节点宜做实际测量确认。
• 机械应力敏感：MLCC 对焊接时的基板翘曲与机械应力敏感，布线与焊盘设计应避免应力集中以防裂纹。
• 焊接工艺：请遵循 TDK 推荐的回流曲线与焊接说明，避免超出制造商的温度或时间限制以保证可靠性。

四、典型应用场景

• 电源去耦与旁路：微处理器、功率放大器与模拟电路的输入/输出去耦。
• 能量储存：开关电源输入/输出滤波与二次侧储能。
• 消费与工业电子：智能手机周边电源、通信设备、仪器仪表等需中等容量与稳定性的场合。

五、选型建议

选择时应结合工作电压、实际工作温度、频率范围与耐久性要求。若电路对容量随偏置下降敏感，可考虑并联多只小容量低 K 值电容（如 C0G/NP0）或选用更大封装/更高额定电压的 MLCC。对于需要更高可靠性或汽车级认证的应用，请向供应商确认是否有对应的 AEC‑Q 等级产品或替代型号，并参阅完整 datasheet 获取详细电气与机械参数。