BSS138 产品概述

一、产品简介

BSS138 是一款面向小信号开关与电平转换的 N 沟增强型场效应管（MOSFET），由 FUXINSEMI（富芯森美）提供，采用 SOT-23 小封装。器件最大漏源耐压 50V，适合低功耗、低电流的开关和电平移位场合。典型封装尺寸和低引脚寄生参数使其在便携设备、接口逻辑和微功率电路中得到广泛应用。

二、主要电气参数（基于所给规格）

• 漏源耐压（Vdss）：50V
• 连续漏极电流（Id）：约 220mA（短时、良好散热下可接近 340mA）
• 导通电阻（RDS(on)）：6Ω @ Vgs = 4.5V
• 功率耗散（Pd）：350mW（SOT-23 封装，受 PCB 散热影响较大）
• 阈值电压（Vgs(th)）：1.5V @ Id = 1mA
• 输入电容（Ciss）：27pF，反向传输电容（Crss/Coss）：6pF
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SOT-23
• 品牌：FUXINSEMI（富芯森美）

三、电气参数意义与工程解读

• Vgs(th)≈1.5V 表明在 1.5V 左右开始导通，适合 1.8V~5V 逻辑电平控制，但在较低驱动电压下导通阻抗会较高。
• RDS(on)=6Ω（Vgs=4.5V）提示此器件更适合做信号级开关或小电流负载切换，不宜用于大电流功率路径。
• Ciss 与 Crss 值较小（27pF / 6pF），切换速度快、米勒效应小，有利于高频开关或作为电平移位晶体管。
• Pd=350mW 限制了在 SOT-23 封装下的连续功耗能力，实际允许电流依赖 PCB 铜箔面积与散热条件，须注意结壳温升。

四、典型应用场景

• 逻辑电平转换（例如 1.8V ↔ 3.3V、3.3V ↔ 5V 的双向电平移位）
• 微控制器 I/O 的小电流开关与驱动
• 信号复位/复用开关、低频直流电源断路控制（小于数百 mA）
• 便携设备、电池供电系统中作为低泄漏、低寄生电容的开关元件

五、选型与使用注意事项

• 若负载电流接近或超过几十到一百毫安，建议评估 RDS(on) 带来的压降与功耗；对高电流场合选择 RDS(on) 更低的功率 MOSFET。
• 在 SOT-23 封装上，Pd 与电流受 PCB 散热影响显著；通过增加铜箔面积或使用散热通孔可以提升持续电流能力。
• 驱动电压越高导通阻抗越低，但应避免超出器件允许的门极电压（参考厂商完整资料）。
• Crss 值影响开关时的米勒效应，如用于高速切换，注意门极驱动和阻尼设计，避免振铃或误触发。

六、总结建议

BSS138（FUXINSEMI，SOT-23）凭借 50V 耐压、小寄生电容与低门限特性，是构建小信号开关和电平移位电路的实用器件。在选用时需关注 RDS(on) 与功耗限制，合理布线与散热设计可保证稳定工作。对需更大电流或更低导通阻抗的场合，应考虑替代的大功率 MOSFET。