型号:

BAT54C

品牌:FUXINSEMI(富芯森美)
封装:SOT-23(TO-236)
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
-
BAT54C 产品实物图片
BAT54C 一小时发货
描述:肖特基二极管 520mV@250mA 30V 2uA 200mA
库存数量
库存:
4149
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.042
3000+
0.0333
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)520mV@250mA
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流200mA
反向电流(Ir)2uA
工作结温范围-55℃~+125℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)600mA

BAT54C 产品概述

一、产品简介

BAT54C 是一款双路肖特基势垒二极管(common-cathode),由 FUXINSEMI(富芯森美)推出,封装为 SOT-23(TO-236)。该器件以低正向压降、快速切换和较小的反向漏电流为特点,适合移动设备、低压电源管理和信号整流等场景的保护与整流应用。

二、主要参数

  • 正向压降:Vf = 520 mV @ 250 mA(典型)
  • 反向耐压:Vr = 30 V
  • 连续整流电流:If = 200 mA
  • 反向漏电流:Ir = 2 μA(典型,常温)
  • 非重复峰值浪涌电流:Ifsm = 600 mA(脉冲)
  • 工作结温范围:Tj = -55 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:SOT-23(TO-236)
  • 品牌:FUXINSEMI(富芯森美)

三、电气与热特性说明

BAT54C 的正向压降在同类小信号肖特基中处于较低水平,有助于降低导通损耗和发热。不过 Vf 会随电流上升和温度变化而增加;在高电流条件下耗散显著,需关注封装热阻与PCB散热。2 μA 的反向漏电流适合低功耗场景,但漏电随温度呈指数上升,工作在高温时需考虑漏电带来的待机损耗。600 mA 的峰值浪涌能力适用于短时冲击,但仅限非重复或短脉冲,应参考详尽的浪涌曲线与脉宽限制。

四、封装与引脚说明

SOT-23 三引脚:通常为双二极管共阴结构,典型引脚分配为 Pin1:Anode1、Pin2:Cathode(公共)、Pin3:Anode2。SOT-23 封装体积小,适合高密度贴片应用。为获得更佳热性能,PCB 侧建议在焊盘周围留足铜箔并与大地或电源平面热耦合。

五、典型应用

  • 低压电源的肖特基并联(ORing)与反向保护
  • USB、数据线及输入端的浪涌与极性保护
  • 高频整流与快速开关电路中的检波器/混频器保护
  • 电平移位与信号夹位电路,降低电压降与串联损耗
  • 便携式与电池供电设备中用于降低功耗与温升

六、设计注意事项

  • 在靠近额定连续电流(200 mA)时,需做热仿真与实际温升测试;高温环境下应按热特性降额使用。
  • 反向漏电随温度上升显著,待机或高温应用应评估漏电影响。
  • 尽量缩短器件与负载间走线,减少寄生电感与热阻。
  • 峰值浪涌仅用于短时冲击,避免反复靠近 Ifsm 工作以防损伤。
  • 选择替代器件或并联方案时注意 Vf、Ir、封装热阻与可靠性参数一致性。

七、选型建议与替代

在要求更低正向压降或更高电流能力时,可考虑其它封装或型号(如更大封装的肖特基器件)。选择替代品时,应对比 Vf 曲线、Ir 随温度的变化、Ifsm 脉冲宽度限制以及封装热阻,确保在目标工作点下满足可靠性与寿命要求。

八、结语

FUXINSEMI 的 BAT54C 在 SOT-23 小型封装中提供了平衡的低压降、低漏电和短时浪涌能力,适合多种低压保护与整流应用。最终设计时建议结合完整数据手册的 Vf-I、Ir-T、热阻与脉冲曲线进行热与电性能验证,保证长期可靠运行。